Описаны методы синтеза, кристаллографические параметры и строение энергетических зон двумерных и квазидвумерных материалов, таких как графен, дихалькогениды переходных металлов IV-VIII групп, бинарные 2D-халькогениды IV, III и II групп вида AIV BVI, IV VI Am Bn, AIIIBVI, III VI Am Bn, AIIBVI, трихалькогениды Ti, Zr, Hf, Nb, Bi, Sb, 2D-материалы вида AVBV (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-нитриды вида AIIIN (A = Al, Ga, In, B), моноатомные 2D-материалы (фосфорен P, плюмбен Pb, станен Sn, германен Ge, силицен Si, антимонен Sb, арсенен As, висмутен Bi, борофен В, окто-нитроген 8-N), функциализированные графен и карбид кремния SiC, двумерные оксиды CO, SiO, GeO, SnO, диоксиды переходных металлов, германия и олова, триоксиды MoO3, WO3, ди- и тригалогениды переходных металлов.
Some synthesis methods, crystal parameters and band structure of two-dimensional and quasi-twodimensional materials are reported, such as graphene, transitional metal dichalcogenides of IV-VIII groups, binary 2D-chalcogenides AIV BVI, IV VI Am Bn, AIIIBVI, III VI Am Bn, AIIBVI of transitional metals IV, III and II groups, trichalcogenides of Ti, Zr, Hf, Bi and Sb, 2D-materials AV BV (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-materials AIII N (A = Al, Ga, In, B), monoatomic 2D-materials (phosphorene P, plumbene Pb, stanene Sn, germanene Ge, silicene Si, antimonene Sb, arsenene As, bismuthene Bi, borophene B, octo-nitrogene 8-N), fuctionalization of graphene and SiC, 2D-oxides CO, GeO, SnO, 2D-dioxides of transitional metals and Ge, Sn, 2D-trioxides MoO3 and WO3, transitional metal di- and trihalides.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 37027586
Несмотря на обнаруженные многообещающие свойства многих двумерных материалов, их широкое внедрение в нано- и фотоэлектронику требует поиска 2D-наноструктур, оптимальных с точки зрения оптических, фотоэлектрических и структурных свойств. В статье представлен обзор результатов теоретических и экспериментальных работ, опубликованных в последнее время по синтезу и изучению структурных и электронных свойств двумерных и квазидвумерных материалов с целью уточнения наиболее оптимальных способов и областей их применения в нано- и фотоэлектронике.
Список литературы
1. Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorienko I. V., Firsov A. A. // Science, 306, 666 (2004). EDN: LIRVMP
2. Geim A. K. // Science, 324, 1530 (2009). EDN: MNGOMR
3. Geim A. K. // Phys. Usp. 54(12) (2011).
4. Novoselov K. S. // Phys. Usp. 54(12), 1227-1242 (2011).
5. Koski K. J., Cui Y. // ACS Nano, 7(5), 3739 (2013).
6. Zhuan Ti. Graphene patents lay base for industry boom. China Daily, 03/02/2017, page 17.
7. Ferrari A. C. et al. Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems // Nanoscale, 2014, pp. 1-343,. DOI: 10.1039/C4NR01600A EDN: UPDCJP
8. Eletskii A. V., Iskandarova I. M., Knizhnik A. A., Krasikov D. N. // Phys. Usp. 54, 227-258 (2011). EDN: OHQSIL
9. Grayfer E. D., Makotchenko V. G., Nazarov A. S., Kim S.-J., Fedorov V. E. // Rus, Chem. Rev. 80(8), 751-770 (2011).
10. Bonaccorso F., Lombardo A., Hasan T., Colombo L., Ferrari A. C. // Materials Today, 15, 564 (2012). EDN: RHBSNX
11. Avouris P., Dimitrakopoulos C. // Materials Today, 15, 86 (2012). EDN: PHNDTH
12. Volkova J. B., Rezchikova E. B., Shakhnov V. A. // Eng. Journ., 6 (2013). EDN: RHAMLH
13. Sorokin P. B., Chernozatonskii L. A. // Phys. Usp. 56, 105-122 (2013). EDN: RFBZCT
14. Chernozatonskii L. A., Sorokin P. B., Artukh A. A. // Rus, Chem. Rev. 83(3), 251-279 (2014).
15. Chernozatonskii L. A., Artukh A. A. // Phys. Usp. 61, 2-28 (2018). EDN: SOPMQN
16. Novoselov K. S., Jiang D., Chedin F., Booth T. J., Khot-kevich V. V., Morozov S. V., Geim A. K. // Proc. National Academy of Science (USA), 102, pp. 10451 (2005).
17. Li X., Zhang G., Bai X., Wang X., Wang E., Dai H. // Nature Nanotechnology, 3, 538 (2008). EDN: MNEIYN
18. Li D., Muller M. B., Gilje S., Kaner R. B., Wallace G. G. // Nature Nanotechnology, 3, pp. 101 (2008).
19. Wu Z.-S., Ren W., Gao L., Zhao J., Chen Z., Liu B., Tang D., Yu B., Jiang C., Cheng H.-M. // ACS Nano, 3, 411 (2009). EDN: MMSUQB
20. Mortazavi S. Z., Parvin P., Reyhani A. // Laser Phys. Letters, 9, 547 (2012). EDN: RMPFJB
21. Abramov A. V., Arakelian S. M., Kochev D. A., Markov S. A., Prokoshev V. G., Kharkov K. S., Patent RU 2572325, 12.01.2015. EDN: ZEMQBF
22. Rollings E. R., Gweon G.-H., Zhou S. Y., Mun R. S., McChesney J. L., Husson B. S., Fedorov A. V., First P. N., W. A. de Heer, Lanzara A. // Journ. Phys. Chem. Sol., 67, 2172 (2006). EDN: MJFARL
23. Hass J., Feng R., Li T., Zong Z., W. A. de Heer, First P. N., Conrad E. H., Jeffrey C. A., Berger C. // Appl. Phys. Lett., 89, 143106 (2006). EDN: LDSJYE
24. Emtsev K. V., Bostwick A., Horn K., Jobst J., Kellogg G. L., Ley L., McChesney J. L., Ohta T., Reshanov S. A., Rohrl J., Rotenberg E., Schmid A. K., Waldmann D., Weber H. B., Seyller T. // Nature Materials, 8, 203 (2009). EDN: MMSUCP
25. Sutter P. // Nature Materials, 8, 171 (2009). EDN: MMSUCP
26. Naguib M., Gogotsi Y. // Acc. Chem. Res., 48(1), 128 (2015).
27. Alekseev N. I., Kalnin A. A., Karmanov D. D., Luchinin V. V., Tarasov S. A., Charykov N. A. // Journal of physical chemistry, 87, 1761 (2013).
28. Sutter P. W., Flege J.-I., Sutter E. A. // Nature Materials, 7, 406 (2008). EDN: MMSSZT
29. Coraux J., N’Diae A. T., Busse C., Michley T. // Nano Letters, 8, 565 (2008). EDN: MLQQUT
30. Oshima C., Bannai E., Tanaka T., Kawai S. // Jpn. Journ. Appl. Phys., 16, 965 (1977).
31. Antonova I. V. // Phys. Usp. 56, 1013-1020 (2013). EDN: UWRQJQ
32. Kim Keun S., Zhao Y., Lee S. Y., Kim J. M., Kim Kwang S., Ahn J.-H., Kim P., Choi J.-Y., Hong B. H. // Nature, 457, 706 (2009). EDN: MMKALJ
33. Li X., Cai W., An J., Kim S., Nah J., Yang D., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S. K., Colombo L., Ruoff R. S. // Science, 324, 1312 (2009). EDN: MNEJCJ
34. Bae S., Kim H., Lee Y., Xu X., Park J.-S., Zheng Yi., Balakrishnan J., Lei T., Kim H. R., Kim K. S., Ozyilmaz B., Ahn J.-H., Hong B. H., Iijima S. // Nature Nanotechnology, 5, 574 (2010). EDN: NBBSER
35. Li X., Magnuson C. W., Venugopal A., Tromp R. M., Hannon J. B., Vogel E. M., Colombo L., Ruoff R. S. // J. Am. Chem. Soc., 133, 2816 (2011). EDN: OAFJCJ
36. Polat E. O., Balci O., Kakenov N., Uzlu H. B., Kokabas C., Dahiya R. // Scientific Reports, 5, 16744 (2015). EDN: VGFNKT
37. Wu W., Yu Q., Peng P., Liu Z., Bao J., Pei S.-S. // Nanotechnology, 23, 035603 (2012). EDN: PLAMGF
38. Marchene M., Janner D., Chen T. L., Finazzi V., Pruneri V. // Optical Materials Express, 6, 8, 2487 (2016). EDN: WTDZPF
39. Sulaiman K., Ali A. Y., Elkington D., Ferron K., Anderson K. F., Belcher W., Dastoor P., Zhou X. // Carbon N.Y., 107, 325 (2016).
40. Jang J., Son M., Chung S., Kim K., Cho C., Lee B. H., Ham M. // Sci. Rep., 5, 17955 (2015). EDN: WRPWOJ
41. Vlassiouk I., Regmi M., Fulvio P., Datskos P., Eres G., Smirnov S. // ACS Nano, 5(7), 6069 (2011).
42. Terasawa T.-O., Saiki K. // Carbon, 50, 869 (2012). EDN: PIZWRH
43. Boyd D. A., Lin W.-H., Hsu C.-C., Teague M. L., Chen C.-C., Lo Y.-Y., Chan W.-Y., Su W.-B., Cheng T.-C., Chang C.-S., Wu C.-I., Yeh N.-C. // Nature Communications, 2015,. DOI: 10.1038/ncomms7620 EDN: UTPUGJ
44. Fujita J.-I., Hiyama T., Hirukawa A., Kondo T., Nakamura J., Ito S.-i., Araki R., Takeguchi M., Pai W. W. // Scientific Reports, 7, 12371 (2017). EDN: YIVGKW
45. Ding G., Zhu Y., Wang S., Gong Q., Sun L., Wu T., Xie X., Jiang M. // Carbon, 53, 321 (2013).
46. Wang J., Zeng M., Tan L., Dai B., Deng Y., Rummeli M., Xu H., Li Z., Wang S., Peng L., Eckert J., Fu L. // Sci. Rep. 3, 2670 (2013). EDN: XDHIEL
47. Murakami K., Tanaka S., Hirukawa A., Hiyama T., Kuwajima T., Kano E., Takeguchi M., Jun-ichi Fujita J.-i. // Appl. Phys. Lett., 106, 093112 (2015). EDN: UUDZQF
48. Zhang B., Lee W. H., Piner R., Kholmanov I., Wu Y., Li H., Ji H., Ruoff R. S. // ACS Nano, 3, 2471 (2012). EDN: PHURRX
49. Guermoune A., Chari T., Popescu F., Sabri S.S., Guillemette J., Skulason H. S., Szkopek T., Siaj M. // Carbon, 49, 4204 (2011). EDN: OLZPKJ
50. Wu T., Ding G., Shen H., Wang H., Sun L., Zhu Y., Jiang D., Xie X. // Nanoscale, 2013,. DOI: 10.1039/C3NR00963G
51. Rummeli M. H., Bachmatiuk A., Scott A., Borrnert F., Warner G. H., Hoffman V., Lin J.-H., Cuniberti G., Buchner B. // ACS Nano, 4, 4206 (2010). EDN: MZWHSZ
52. Sun Z., Yan Z., Yao J., Beitler E., Zhu Y., Tour J. M. // Nature, 468, 549 (2010). EDN: OLYZMN
53. Liu N., Fu L., Dai B., Yan K., Liu X., Zhao R., Zhang Y., Liu Z. // Nano Letters. 11, 297 (2011). EDN: OBBOOZ
54. Strupinski W., Grodecki K., Wysmolek A., Stepniewski R., Szkopek T., Gaskell P. E., Gruneis A., Haberer D., Bozek R., Krupka J., Baranowski J. M. // Nano Letters, 11, 1786 (2011). EDN: OLZGWB
55. Fanton M. A., Robinson J. A., Puls C., Liu Y., Hollander M. J., Weiland B. E., LaBella M., Trumbull K., Kasarda R., Howsare C., Stitt J., Snyder D. W. // ACS Nano, 5, 8062 (2011). EDN: PLAEOZ
56. Sun J., Lindvall N., Cole M. T., Teo K. B. K., Yurgens A. // Appl. Phys. Lett., 98, 252107 (2011). EDN: NRQJKJ
57. Scott A., Dianat A., Börrnert F., Bachmatiuk A., Zhang S., Warner J. H., Borowiak-Paleń E., Knupfer M., Büchner B., Cuniberti G., Rummeli M. H. // Appl. Phys. Lett., 98, 073110 (2011). EDN: NRQWOH
58. Ding X., Ding G., Xie X., Huang F., Jiang M. // Carbon, 49, 2552 (2011).
59. Moseler M., Gumbsch P., Casiraghi C., Ferrari A. C., Robertson J. // Science, 309, 1545 (2005).
60. Katsnelson M. I. Graphene: Carbon in Two Dimensions. - New York: Cambridge University Press, 2012. EDN: UPIJUR
61. Alisultanov Z. Z. // JETP 122(2), 341 (2016).
62. Bostwick A., Ohta T, McChesney J. L., Emtsev K. V., Seyller T., Karsten Horn K., Rotenberg E. // New Journal of Physics, 9, 385 (2007). EDN: MLDIQT
63. Morozov S. V. // Phys. Usp. 55, 408-412 (2012). EDN: RGCWTD
64. Kalikhman V. L., Umanskii Ya. S. // Sov. Phys. Usp. 15, 728-741 (1973).
65. Duan X., Wang C., Pan A, Yu R., Duan X. Chem. Soc. Rev., 44, 8859 (2015). EDN: UKENMD
66. Kvashnin D. G., Chernozatonskii L. A. // JETP Letters, 105(4), 250 (2017).
67. Lv R. T., Robinson J. A., Schaak R. E., Sun D., Sun Y., Mallouk T. E., Terrones M. // Acc.Chem. Res., 48, 56 (2015). EDN: USUZEH
68. Kumar A., Ahluwalia P. K. Eur. Phys. J. B, 85, 186 (2012). EDN: RJNZUP
69. Geim A. K., Grigorieva I. V. // Nature, 499, 419 (2013). EDN: RGVRKN
70. Zhuang H. L., Hennig R. G. // J. Phys. Chem. C, 117, 20440 (2013). EDN: SSASXH
71. Agarwal M. K., Capers M. J. // J. Appl. Cryst., 5, 63 (1972).
72. Hicks W. T. J. // Electrochem. Soc., 9, 1058 (1964).
73. Yun W. S., Han S. W., Hong S. C., Kim I. G., Lee J. D. // Phys. Rev. B, 85, 033305 (2012). EDN: NUSRCZ
74. Opalovskii A. A., Fedorov V. E. // Rus. Chem. Rev. 35(3), 186-204 (1966).
75. Harold Schafer. Chemische Transportreaktionen (Verlag Chemie GmbH, Weinheim/Bergstr., 1961).
76. Brixner L. H. // J. Inorg. Nucl. Chem., 24, 257 (1962).
77. Magda G. Z., Pető J, Dobrik G., Hwang C., Biró L. P., Tapasztó L. // Sci. Rep., 5, 14714 (2015).
78. Hakkinen H. // Nature Chem., 4, 443 (2012).
79. Lebègue S., Eriksson O. // Phys. Rev., B79, 115409 (2009).
80. Kuc A., Zibouche N., Heine T. // Phys. Rev., B83, 245213 (2011).
81. Heising J., Kanatzidis M. G. // J. Am. Chem. Soc., 121, 638 (1999). EDN: LQXLAN
82. Jeong S., Yoo D., Ahn M., Miroґ P., Heine T., Cheon J. // Nature Commun., 6, 5763 (2015). EDN: XUCVZX
83. Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., Giacometti V., Kis A. // Nat. Nanotechnol., 6, 147 (2011). EDN: OBBPMB
84. Zhang W., Huang Z., Zhang W., Li Y. // Nano Research, 7(12), 1731 (2014).
85. Pu J., Yomogida Y., Liu K.-K., Li L.-J., Iwasa Y., Takenobu T. // Nano Lett., 12, 4013 (2012). EDN: RMZXHP
86. Li X, Zhu H. // Journal of Materiomics 1 33-44 (2015).
87. Zhan Y., Liu Z., Najmaei S., Pulickel M., Ajayan P. M., Lou J. // Small, 8(7), 966 (2012).
88. Liu K.-K., Zhang W., Lee Y.-H., Lin Y.-C., Chang M.-T., Su C.-Y., Chang C.-S., Li H., Shi Y., Zhang H., Lai C.-S., Li L.-J. Nano Lett., 12, 1538 (2012). EDN: PLHPKL
89. Shi Y., Zhou W., Lu A.-Y., Fang W., Lee Y.-H., Hsu A. L., Kim S. M., Kim K. K., Yang H. Y., Li L.-J., Idrobo J.-C., Kong J. // Nano Lett., 12, 2784 (2012). EDN: RXTEIN
90. Lin Y.-C., Zhang W., Huang J.-K., Liu K.-K., Lee Y.-H., Chi-Te Liang C.-T., Chud C.-W., Li L.-J. // Nanoscale, 4, 6637 (2012). EDN: RMZXTX
91. Yu Y., Li C., Liu Y., Su L., Zhang Y., Cao L. // Sci. Rep., 3, 1866 (2013). EDN: RMPOAL
92. Najmaei S., Liu Z., Zhou W., Zou X., Shi G., Lei S., Yakobson B. I., Idrobo J.-C., Ajayan P. M., Lou J. // Nat. Mater. 2013:12:754-9. EDN: RMPPIH
93. van der Zande A. M., Huang P. Y., Chenet D. A., Berkelbach T. C., You Y. M., Lee G.-H., Heinz T. F., Reichman D. R., David A., Muller D. A., Hone J. C. // Nat. Mater. 2013:12:554-61. EDN: RHBULD
94. Ji Q., Zhang Y., Gao T., Zhang Y., Ma D., Liu M., Chen Y., Qiao X., Tan P.-H., Kan M., Feng J., Sun Q., Liu Z. // Nano Lett., 2013:13:3870-7.
95. McCreary K. M., Hanbicki A. T., Robinson J. T., Enrique Cobas E., Culbertson J. C., Friedman A. L., Jernigan G. G., Jonker B. J. // Funct. Mater., 24, 6449 (2014). EDN: UPOVYF
96. Lin Y.-C., Lu N., Perea-Lopez N., Li J., Lin Z., Peng X., Lee C. H., Sun G., Calderin L., Browning P. N., Bresnehan M. S., Kim M. J., Mayer T. S., Terrones M., Robinson J. A. // ACS Nano, 2014:8:3715-23. EDN: QSJPKT
97. Huang C.-C., Al-Saab F., Wang Y., Ou J.-Y., Walker J. C., Wang S., Gholipour B., Simpsond R. E., Hewaka D. W. // Nanoscale, 2014,. DOI: 10.1039/c4nr04228
98. Baek S. H., Choi Y., Choi W. // Nanoscale Research Lett., 10:388, (2015). EDN: VFVDIL
99. Nihan Kosku Perkgöz //Anadolu University Journal of Science and Technology A- Applied Sciences and Engineering, 18(2), 375 (2017).
100. Wang X., Gong Y., Shi G., Chow W. L., Keyshar K., Ye G., Vajtai R., Lou J., Liu Z., Ringe E., Tay B. K., Ajayan P. M. // ASC Nano, 2014,. DOI: 10.1021/nn501175k EDN: UUVMOH
101. Shaw J. C., Zhou H., Chen Y., Weiss N. O., Liu Y., Yu. Huang, Duan X. // Nano Res. 2014,. DOI: 10.1007/s12274-014-0417-z
102. Boscher N. D., Carmalt C. J., Palgrave R. G., Gil-Tomas J. J., Parkin I. P. // Chem. Vap. Deposition, 12, 692 (2006).
103. Carmalt C. J., Parkin I. P., Peters E. S. // Polyhedron, 22, 1499 (2003). EDN: YJKPAA
104. Elıas A. L., Perea-Lopez N., Castro-Beltran A., Berkdemir A., Lv R., Feng S., Long A. D., Hayashi T., Kim Y. A., Endo M., Gutierrez H. R., Pradhan N. R., Balicas L., Mallouk T. E., Lopez-Urıas F., Terrones H., Mauricio Terrones M. // ACS Nano, 7(6), 5235 (2013).
105. Wang X., Huang L., Jiang X.-W., Li Y., Wei Z., Li J. // J. Mater. Chem. C 4, 3143 (2016). EDN: WTYFVD
106. Zhu Y., Wang X., Zhang M., Cai C., Xie L. // Nano Research 2016,. DOI: 10.1007/s12274-016-1178-7 EDN: XTIPJZ
107. Zhang M., Zhu Y., Wang X., Feng Q., Qiao S., Wen W., Chen Y., Cui M., Zhang J., Cai C., Xie L. // J. Am. Chem. Soc. 2015,. DOI: 10.1021/jacs.5bp3807
108. Wang D., Zhang X., Liu H., Meng J., Xia J., Yin Z., Wang Y., You J., Meng X.-M. // 2D Mater., 4, 031012 (2017). EDN: YGXVJT
109. He X., Liu F., Hu P., Fu W., Wang X., Zeng Q., Zhao W., Zheng Liu Z. // Small 2015,. DOI: 10.1002/smll.201501488
110. Gao J., Li L., Tan J., Sun H., Li B., Idrobo J. C., Singh C. V., Lu T.-M., Koratkar N. // Nano Lett. 2016,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.6bo1180
111. Cui F., Wang C., Li X., Wang G., Liu K., Yang Z., Feng Q., Liang X., Zhang Z., Liu S., Lei Z., Liu Z., Xu H., Zhang J. // Adv. Mater. 2016,. DOI: 10.1002/adma.201600722
112. Keyshar K., Gong Y., Ye G., Brunetto G., Zhou W., Cole D. P., Hackenberg K., He Y., Machado L., Kabbani M., Hart A. H. C., Li B., Galvao D. S., George A., Vajtai R., Tiwary C. S., Ajayan P. M. // Adv. Mater., 27, 4640 (2015).
113. Peters E. S., Carmalt C. J., Parkin I. P. // J. Mater. Chem., 14, 3474 (2004).
114. Yuan J., Wu J., Hardy W. J., Loya P., Lou M., Yang Y., Najmaei S., Jiang M., Qin F., Keyshar K., Ji H., Gao W., Bao J., Kono J., Natelson D., Ajayan P.M., Lou J. Adv. Mater., 27, 5605 (2015).
115. Feng J., Sun X., Wu C., Peng L., Lin C., Hu S., Yang J., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc., 133, 17832 (2011).
116. Zhang Z., Niu J., Yang P., Gong Y., Ji Q., Shi J., Fang Q., Jiang S., Li H., Zhou X., Gu L., Wu X., Zhang Y. // Adv. Mater., 1702359 (2017).
117. Empante T. A., Zhou Y., Klee V., Nguyen A. E., Lu I.-H., Valentin M. D., Alvillar S. A. N., Preciado E., Berges A. J., Merida C. S., Gomez M., Bobek S., Isarraraz M., Reed E. J., Bartels L. // ACS Nano, 11, 900 (2017).
118. Zhou Z., Liu F., Lin J., Huang X., Xia J., Zhang B., Zeng Q., Wang H., Zhu C., Niu L., Wang X., Fu W., Yu P., Chang T.-R., Hsu C.-H., Wu D., Jeng H.-T., Huang Y., Lin H., Shen Z., Yang C., Lu L., Suenaga K., Zhou W., Pantelides S. T., Liu G., Liu Z. // Adv. Mater. 2016,. DOI: 10.1002/adma.201603471
119. Huang J.-H., Deng K.-Y., Liu P.-S., Wu C.-T., Chou C.-T., Chang W.-H., Lee Y.-J., Hou T.-H. // Adv. Mater. Interfaces 4, 1700157 (2017). EDN: KTRBOX
120. Keum D. H., Cho S., Kim J. H., Choe D.-H., Sung H.-J., Kan M., Kang H., Hwang J.-Y., Kim S. W., Yang H., Chang K. J., Lee Y. H. // Nature Phys. 2015,. DOI: 10.1038/NPHYS3314 EDN: USJEEJ
121. Wang L., Gutieґrrez-Lezama I., Barreteau C, Ubrig N., Giannini T., Morpurgo A. F. // Nature Commun. 2015,. DOI: 10.1038/ncomms9892 EDN: VGQWQD
122. Wang Y., Sofer Z., Luxa J., Pumera M. // Adv. Mater. Interfaces 2016,. DOI: 10.1002/admi.201600433 EDN: YWOJDR
123. Huan Y., Shi J., Zou X., Gong Y., Zhang Z., Li M., Zhao L., Xu R., Jiang S. Zhou X., Hong M., Xie C., He Li H., Lang X., Zhang Q., Gu L., Yan X., Zhang Y. // Adv. Mater. 2018,. DOI: 10.1002/adma.201705916
124. Zeng Z., Yin Z., Huang X., Li H., He Q., Lu G., Boey F., Hua Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 50, 11093 (2011). EDN: PHBVSR
125. Zeng Z., Sun T., Zhu J., Huang X., Yin Z., Lu G., Fan Z., Yan Q., Hng H. H., Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 51, 1 (2012). EDN: RKHGYZ
126. Wang Y., Li L., Yao W., Song S., Sun J. T., Pan J., Ren X., Li C., Okunishi E., Wang Y.-Q., Wang E., Shao Y., Zhang Y. Y., Yang Hai-tao, Schwier E. F., Iwasawa H., Shimada K., Taniguchi M., Cheng Z., Zhou S., Du S., Pennycook S. J., Pantelides S. T., Gao H.-J. // Nano Lett. 2015,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b00964
127. Zhao Y., Qiao J., Yu P., Hu Z., Lin Z., Lau S.P., Liu Z., Lau S.P., Liu Z., Ji W., Chai Y. // Adv. Mater. 28, 2399 (2016).
128. Xu K., Huang Y., Chen B., Y., Lei W., Wang Z., Wang Q., Wang F., Yin L., He J. // Small 12(23), 3106 (2016).
129. Aretouli K. E., Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Giamini S.A., Vassalou E., Kelaidis N., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett. 106, 143105 (2015).
130. Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Aretouli K. E., Xenogiannopoulou E., Vassalou E., Kordas G., A. Dimoulas // Microelectronic Engineering 147, 269 (2015).
131. Zheng B., Chen Y., Wang Z., Qi F., Huang Z., Hao X., Li P., Zhang W., Li Y. // 2D Mater. 3 (2016) 035024.
132. Aminalragia-Giamini S., Marquez-Velasco J., Tsipas P., Tsoutsou D., Renaud G., Dimoulas A. // 2D Mater. 4 (2017) 015001.
133. Zhao S., Hotta T., Koretsune T., Watanabe K., Taniguchi T., Sugawara K., Takahashi T., Shinohara H., Kitaura R. // 2D Mater. 3 (2016) 025027. EDN: WPHQOP
134. Wang H., Huang X., Lin J., Cui J., Chen Y., Zhu C., Liu F., Zeng Q., Zhou J., Yu P., Wang X., He H., Tsang S. H., Gao W., Suenaga K., Ma F., Yang C., Lu L., Yu T., Teo E. H. T., Liu G., Liu Z. // Nature Communications, 2017,. DOI: 10.1038/s41467-017-00427-5 EDN: YHBVHD
135. Onishi S., Ugeda M.M., Zhang Y., Chen Y., Ojeda-Aristizabal C. Ryu H., Mo S.-K., Hussain Z., Shen Z.-X., Crommie M. F., Zettl A. // Phys. Status Solidi B, 1 (2016).
136. Nakata Y., Sugawara K., Ichinokura S., Okada Y., Hitosugi T., Koretsune T., Ueno K., Hasegawa S., Takahashi T., Takafumi Sato T. // 2D Materials and Applications 12 (2018).
137. Dong J., Li C., Yang J., Chen B., Song H., Chen J., Peng W. // Cryst. Res. Technol. 51(11), 671 (2016).
138. Wu J., Peng J., Yu Z., Zhou Y., Guo Y., Li Z., Lin Y., Ruan K., Changzheng Wu C., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc. 2017,. DOI: 10.1021/jacs.7b11915
139. Zhao R., Grisafe B., Ghosh R.K., Holoviak S., Wang B., Wang K., Briggs N., Haque A., Datta S., Robinson S. J. // 2D Mater.2018,. DOI: 10.1088/2053-1583/aaa104
140. Tsoutsou D., Aretouli K.E., Tsipas P., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Kelaidis N., Giamini S. A., Dimoulas A. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 1836 (2016).
141. Yin G., Zhao H., Feng J., Sun J., Yan J., Liu Z., Lin S., Liua S (F). // Journal of Materials Chemistry A 2018,. DOI: 10.1039/C8TA01143E
142. Wang H., Chen Y., Duchamp M., Zeng Q., Wang X., Tsang S. H., Li H., Jing L., Yu T., Teo E. H. T., Liu Z. // Adv. Mater. 30(8), 1704382 (2018).
143. Chen P., Pai W. W., Chan Y.-H., Takayama A., Xu C.-Z., Karn A., Hasegawa S., Chou M.Y., Mo S.-K., Fedorov A. V., Chiang T.-C. // Nature Commun. 2017,. DOI: 10.1038/s41467-017-00641-1
144. Huifang M., Chen P., Li B., Li J., Ai R., Zhang Z., Sun G., Yao K., Lin Z., Zhao B., Wu R., Tang X., Duan X., Duan X. // Nano Lett. 2018,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b00583
145. Cai Z., Liu B., Zou X., Cheng H.-M. // Chemical Reviews 2018,. DOI: 10.1021/acs.chemrev.7b00536 EDN: YHXJRZ
146. Kim H. U., Ahn C., Arabale G., Lee C., Kim T. // ECS Transactions, 58 (8) 47 (2013).
147. Jeon M. H., Ahn C., Kim H. U., Kim K. N., LiN T. Z., Qin H., Kim Y., Lee S., Kim T., Yeom G. Y. // Nanotechnology 26, 355706 (2015).
148. Kang K., Xie S., Huang L., Han Y., Huang P. Y., Mak K. F., Kim C.-J., David Muller D., Park J. // Nature, 520, 656 (2015).
149. Eichfeld S. M., Hossain L., Lin Y.-C., Piasecki A. F., Kupp B., Birdwell A. G., Burke R. A., Lu N., Peng X., Li J., Azcatl A., McDonnell S., Wallace R. M., Kim M. J., Mayer T. S., Redwing J. M., Robinson J. A. // ACS Nano, 9, 2080 (2015). EDN: UTQUYF
150. Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015,. DOI: 10.1039/C5CE01986A EDN: WUCKHX
151. Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T.A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016,. DOI: 10.1039/C6NR05976G EDN: XTFJJJ
152. Sun Y., Luo S., Zhao X.-G., Biswas K., Li S.-L., Zhang L. // Nanoscale, 2018,. DOI: 10.1039/C7NR09486H EDN: VGCJUA
153. Wasala M., Sirikumara H. I., Sapkota Y. R., Hofer S., Mazumdar D., Jayasekera T., Talapatra S. // Journal of Materials Chemistry C 2017,. DOI: 10.1039/C7TC02866K EDN: YIAIRG
154. Wang Y., Li Y., Chen Z. // Journal of Materials Chemistry C 2015,. DOI: 10.1039/C5TC01345C EDN: VGFITZ
155. Miro P., Audiffred M., Heine T. // Chem. Soc. Rev., 43, 6537 (2014). EDN: UQOXDD
156. Sun Z., Lv H., Zhuo Z., Jalil A., Zhang W., Wu X., Yang J. // Journal of Materials Chemistry C 2018, 0.1039/C7TC95303G. DOI: 10.1039/C7TC95303G
157. Miro P., Ghorbani-Asl M., Heine T. // Angew. Chem. Int. Ed. 53, 3015-3018 (2014). EDN: SRABIP
158. Brent J. R., Lewis D. J., Lorenz T., Lewis E. A., Savjani N., Haigh S. J., Seifert G., Derby B., O’Brien P. // J. Am. Chem. Soc. 137, 12689-12696 (2015). EDN: VGFKCZ
159. Huang Y., Li L., Lin Y., Nan G.-W. // J. Phys. Chem. C, 2017,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b06096
160. Wan W., Liu C., Xiao W., Yao Y. // Applied Physics Letters 111, 132904 (2017). EDN: YJRXEM
161. Chowdhury C., Karmakar S., Ayan Datta A. // J. Phys. Chem. C, 2017,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b12080
162. Shafique A., Shin Y.-H. // Scientific Reports 2017,. DOI: 10.1038/s41598-017-00598-7 EDN: YZXTPN
163. Plushev V. E., Stepina S. B., Fedorov P. I. // Chemistry and technology of rare and scattered elements. Part I. Moscow, “Vishaya Shkola”, 1976.
164. Semiconductors: Data Handbook. Madelung O., 2004, Springer.
165. Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015,. DOI: 10.1039/C5CE01986A EDN: WUCKHX
166. Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T. A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016,. DOI: 10.1039/C6NR05976G EDN: XTFJJJ
167. Zólyomi V., Drummond N.D., Fal’ko V.I. // Phys. Rev. B 89, 205416 (2014). EDN: SOPKRZ
168. Burton L. A., Colombara D., Abellon R. D., Grozema F. C., Peter L. M., Savenije T. J., Dennler G., Walsh A. // Chem. Mater. 25, 4908 (2013).
169. Lewis D. J., Kevin P., Bakr O., Muryn C. A., Malik M. A., O’Brien P. // Inorg. Chem. Front., 1, 577 (2014).
170. Lefebvre I., Szymanski M. A. // Phys. Rev. B, 58 (4), 1896 (1998).
171. Ma Y., Dai Y., Guo M., Yu L., Huang B. // Physical Chemistry Chemical Physics 2013,. DOI: 10.1039/C3CP50233C EDN: RHZQGN
172. Rai P., Kaur S., Srivastava S. // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2018,. DOI: 10.1016/j.physb.2017.12.023
173. Park H., Chung H., Kim W. // Mater. Lett. 2013, 10.1016/j. matlet.2013.03.038i. DOI: 10.1016/j.matlet.2013.03.038
174. Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), pp. 4995-5000 (2010).
175. Galicia-Hernandez J. M., Sanchez-Castilio A., Morales de la Garza L., Cocoletzi G. H. // Bull. Mater. Sci. 2017,. DOI: 10.1007/s12034-017-1471-4
176. Ramasamy K., Kuznetsov V. L., Gopal K., Malik M. A., Raftery J., Edwards P. P., O’Brien P. // Chem. Mater. 25, 266-276 (2013).
177. Sinsermsuksakul P., Heo J., Noh W., Hock A. S., Gordon R. G. // Adv. Energy Mater. 1, 1116-1125 (2011).
178. Dimitri D. Vaughn II, Patel R. J., Hickner M. A., Schaak R. E. J. // Am. Chem. Soc. 132, 15170-15172 (2010). EDN: NZWPTF
179. Sánchez-Juárez A., Tiburcio-Silverb A., Ortizc A. // Thin Solid Films 480-481, 452-456 (2005). EDN: KHMAMN
180. Peng H., Jiang L., Huang J., Li G. // Journal of Nanoparticle Research, 9:1163-1166 (2007).
181. Li L., Chen Z., Hu Y., Wang X., Zhang T., Chen W., Wang Q. // J. Am. Chem. Soc. 135, 1213-1216 (2013). EDN: PTMZMD
182. Chen Z.-G., Shi X., Zhao L.-D., Zou J., High-performance SnSe thermoelectric materials:Progress and future challenge, Progress in Materials Science (2018),. DOI: 10.1016/j.pmatsci.2018.04.005 EDN: SGUFDR
183. Su Y., Ebrish M. A., Olson E. J., Koester S. J. // Applied Physics Letters 103, 263104 (2013).
184. Chang K., Liu J., Lin H., Wang N., Zhao K., Zhang A., Jin F., Zhong Y., Hu X., Duan W., Zhang Q., Fu L., Xue Q.-K., Chen X., Ji S.-H. // Science, 353, issue 6296, pp. 274-278 (2016).
185. Carey B. J., Ou J. Z., Clark R. M., Berean K. J., Zavabeti A., Chesman A. S. R., Russo S. P., Lau D. W. M., Xu Z.-Q., Bao Q., Kevehei O., Gibson B. C., Dickey M. D., Kaner R. B., Daeneke T., Kalantar-Zadeh K. // Nature Communication, 8:14482 (2017).
186. Li X., Lin M.-W., Puretzky A. A., Idrobo J. C., Ma C., Chi M., Yoon M., Rouleau C. M., Kravchenko I. I., Geohegan D. B., Xiao K. // Scientific Reports, 4:5497 (2014).
187. Li C., Huang L., Snigdha G.P., Yu Y., Cao L. // ACS Nano 2012,. DOI: 10.1021/nn303745e
188. Mukherjee B., Cai Y., Tan H. R., Feng Y. P., Tok E. S., Sow C. H. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 9594-9604 (2013). EDN: SSASVJ
189. Wang R., Zhang W., Momand J., Ronneberger I., Jos E Boschker, Mazzarello R., Kooi B. J., Riechert H., Wuttig M., Calarco R. // NPG Asia Materials, 9 (6), e396 (2017).
190. Momand J., Boschker J. E., Wang R., Calarco R., Kooi B. J. // Cryst. Eng. Comm., 20, 340-347 (2018). EDN: YELYJN
191. Xu Y., Zhao W., Xu R., Shi Y., Zhang B. // Chem. Commun. 2013,. DOI: 10.1039/c3cc46342g
192. Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), 4995-5000 (2010).
193. Dhanya A. C., Preetha K. C., Deepa K., Remadev T. L. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 73, 012009 (2015).
194. Yang S., Kelley D. F. // J. Phys. Chem. B, 109, 12701-12709 (2005).
195. Zhao Y., Zhang Y., Zhu H., Hadjipanayis G. C., Xiao J. Q. // J. Am. Chem. Soc. 126, 6874-6875 (2004).
196. Lin M., Wu D., Zhou Y., Huang W., Jiang W., Zheng W., Zhao S., Jin C., Guo Y., Peng H., Zhongfan Liu Z. // J. Am. Chem. Soc. 135, 13274-13277 (2013). EDN: RNABZN
197. Acharya S., Dutta M. Sarkar S., Basak D., Chakraborty S., Pradhan S. P. // Chem. Mater. 24, 1779-1785 (2012).
198. Du W., Zhu J., Li S., Qian X. // Crystal Growth & Design, 8 (7), 2008.
199. Huang W., Gan L., Yang H., Zhou N., Wang R., Wu W., Li H., Ma Y., Zeng H., Zhai T. // Adv. Funct. Mater. 1702448 (2017).
200. Kamal C., Chakrabarti A., Ezawa M. // Phys. Rev. B 93, 125428 (2016).
201. Almeida G., Dogan S., Bertoni G., Giannini C., Gaspari R., Perissinotto S, Krahne R, Ghosh S, Manna L. // J. Am. Chem. Soc., 139, 3005-3011 (2017). EDN: ZAAXMJ
202. Pistor P., Alvarez J.M.M., A., Leon M., Marco di Michiel, Schorr S., Klenk R., Lehmann S. // Acta Cryst. B72, 410-415 (2016).
203. Tuoc V. N., Huan T. D. // J. Phys. Chem. C 2018,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b04328 EDN: YINZAL
204. Behera H., Mukhopadhyay G. // 2014, arXiv:1305.6895v2.
205. Sun Y., Sun Z., Gao S., Cheng H., Liu Q., Piao J., Yao T., Wu C., Hu S., Wei S., Xie Y. // 2012, Nature Commun. 3:1057;. DOI: 10.1038/ncomms2066 EDN: RNSAXD
206. Rao B. S., Kumar B. R., Chalapathi G. V., Reddy V. R., Rao T. S. // J. Nano- Electron. Phys., 3 (1), 620-625 (2011).
207. Skelton J. M., Burton L. A., Oba F., Walsh A. // APL Mater. 5, 036101 (2017).
208. Finkman E, Fisher B. // Solid State Communications, 50 (l), 25-28 (1984).
209. Island J. O., Barawi M., Biele R., Almazán A., Clamagirand J. M., Ares J. R., Sánchez C., Herre S. J. van der Zant, Álvarez J. V., D’Agosta R., Ferrer I. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Mater., 27, 2595 (2015). EDN: ULAOJS
210. Dai J., Li M., Zeng X. C. // WIREs Comput. Mol. Sci., 6:211-222 (2016).
211. Li M., Dai J., Zeng X. C. // Nanoscale, 7, 15385-15391 (2015).
212. Jin Y., Li X., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2015,. DOI: 10.1039/c5cp02813b EDN: URMXBV
213. Förster T., Krüger P., Rohlfin M. // Phys. Rev. B 93, 205442 (2016). EDN: WTZLGV
214. Betancourt J., Li S., Dang X., Burton J.D., Tsymbal E. Y., Velev J. P. // J. Phys.: Condens. Matter 2016, 28 395501.
215. Arabzadeh A., Salimi A. // Electroanalysis 2017,. DOI: 10.1002/elan.201600808
216. Yavorsky B. Y., Hinsche N. F., Mertig I., Zahn P. // Phys. Rev. B 84, 165208 (2011). EDN: PHALOH
217. Yu Y., Wang R. H., Chen Q., Peng L. M. // J. Phys. Chem. B, 110, 13415-13419 (2006).
218. Yao J., Koski K. J., Luo W., Cha J. J., Hu L., Kong D., Narasimhan V. K., Huo K., Cui Y. // Nature Communications 2014 |5:5670|,. DOI: 10.1038/ncomms6670 EDN: UUDJKH
219. Ma J., Zhou J.-P., Yang J., Zhao H.-S., Chen X.-M., Deng C.-Y. // AIP Advances 5, 067133 (2015).
220. Li Y., Zhang J., Zheng G., Sun Y., Hong S. S., Xiong F., Wang S., Lee H. R., Cui Y.1. // ACS Nano. 2015; 9(11):10916-21.
221. Tan C., Wang Q., Fu X. // Optical Materials Express 2016,. DOI: 10.1364/ome.4.002016 EDN: UUCAED
222. Zheng C., Yu L., Zhu L., Collins J. L., Kim D., Lou Y., Xu C., Li M., Wei Z., Zhang Y., Edmonds M. T., Li S., Seide J., Zhu Y., Liu J. Z., Tang W.-X., Fuhrer M. S. // Sci. Adv. 2018;4: eaar7720. EDN: YIAOZF
223. Tao X., Gu Y. // Nano Lett. 13, 3501-3505 (2013).
224. Zhou J., Zeng Q., Lv D., Sun L., Niu L., Fu W., Liu F., Shen Z., Jin C., Liu Z. // Nano Lett. 2015,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01590 EDN: VGOLJD
225. Manolache S. A., Duta A. // Romanian Journal of Information Science and Technology, 11 (2), 109-121 (2008).
226. Electronic properties of inorganic quasi-one-dimensional compounds. Ed. P. Monceau. Springer-Science+ Business Media, B. V., 1985.
227. Fedorov V. E., Artemkina S. B., Grayfer E. D., Naumov N. G., Mironov Y. V., Bulavchenko A. I., Zaikovskii V. I., Antonova I. V., Komonov A. I., Medvedev M. V. // J. Mater. Chem. C, 2, 5479-5486 (2014). EDN: UGOKPJ
228. Yu W., Zhu Z., Niu C.-Y., Cai X., Zhang W.-B. // 2016, arXiv:1510.04108v5 [physics.comp-ph].
229. Kou L., Ma Y., Tan X., Frauenheim T., Du A., Smith S. // J. Phys. Chem. C 2015,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b02096
230. Singh S., Romero A. H. // Phys. Rev. B 95, 165444 (2017). EDN: YEOULP
231. Pillai S. B., Dabhi S. D., Narayan S., Jha P. K. // AIP Conference Proceedings 1942, 090022 (2018);. DOI: 10.1063/1.5028937
232. Prete M. S. Conte A. M., Gori P., Bechstedt F., Pulci O. // Appl. Phys. Lett., 110, 012103 (2017). EDN: YXKQQP
233. Şahin H., Cahangirov S., Topsakal M., Bekaroglu E., Akturk E., Senger R. T., Ciraci S. // Phys. Rev. B, 80, 155453 (2009). EDN: MZVVJV
234. Nagashima A., Tejima N., Gamou Y., Kawai T., Oshima C. // Phys. Rtv. B, 51 (7), 4606 (1995).
235. Bhimanapati G. R., Glavin N. R., Robinson J. A. // Semiconductors and Semimetals, 95, 101-147 (2016). EDN: YASXBD
236. Tsipas P., Kassavetis S., Tsoutsou D., Xenogiannopoulou E., Golias E., Giamini S. A., Grazianetti C., Chiappe D., Molle A., Fanciulli M., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett., 103, 251605 (2013);. DOI: 10.1063/1.4851239 EDN: SRRIEF
237. Al Balushi Z.Y., Wang K., Ghosh R.K., Vilá R.A., Eichfeld S.M., Caldwell J.D., Qin X., Lin Yu-C., DeSario P.A., Stone G., Subramanian S., Paul D.F., Wallace R.M., Datta S., Joan M. Redwing J.M., Robinson J.A. // Nature Materials Lett., 15, pp. 1166-1171 (2016),. DOI: 10.1038/nmat4742 EDN: XTJAAX
238. Liu H., Neal A. T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tomanek D., Ye P. D. // ACS Nano, 8 (4), 4033-4041 (2014).
239. Guan J., Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 113, 046804 (2014). EDN: UUCRQT
240. Akhtar M., Anderson G., Zhao R., Alruqi A., Mroczkowska J. M., Sumanasekera G., Jasinski J. B. // 2D Materials and Applications, 2017,. DOI: 10.1038/s41699-017-0007-5 EDN: LWXYZG
241. Sa B., Li Y., Qi J., Ahuja R., Sun Z. // J. Phys. Chem. C, 2014,. DOI: 10.1021/jp508618t EDN: UQPVGB
242. Ding K., Wen L., Huang S., Li Y., Zhang Y., Lu Y. // RSC Adv., 2016, 6, 80872,. DOI: 10.1039/c6ra10907a
243. Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 112, 176802 (2014). EDN: SPBXQB
244. Wu M., Fu H., Zhou L., Yao K., Zeng X.C. // Nano Lett. 2015,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01041 EDN: UTUMJJ
245. Han W. H., Kim S., Lee In-Ho., Chang K. J. // J. Phys. Chem. Lett., 8, 4627-4632 (2017). EDN: YJSFQZ
246. Kaur S., Kumar A., Srivastava S., Tankeshwar K., Pandey R. // J. Phys. Chem. C 2018,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b08566
247. Zhao T., He C. Y., Ma S. Y., Zhang K. W., Peng X. Y., Xie G. F. Zhong J. X. // J. Phys.: Condens. Matter 27 (2015) 265301 (6pp),. DOI: 10.1088/0953-8984/27/26/265301
248. Schusteritsch G., Uhrin M., Pickard C. J. // Nano Lett. 2015,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05068 EDN: WUSSKB
249. Wang H., Li X., Liu Z., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys., 19, 2402-2408 (2017). EDN: WKSBZR
250. Li P., Luo W. // Scientific Reports 2016,. DOI: 10.1038/srep25423 EDN: WSOJWJ
251. Xu M., He C., Zhang C., Tang C., Zhong J. // Phys. Status Solidi RRL, 2016,. DOI: 10.1002/pssr.201600085
252. Qiu M., Sun Z. T., Sang, D. K., Han X. G., Zhang H., Niu C. M. // Nanoscale, 9, 13384-13403 (2017). EDN: YGTINX
253. Zhang J. L., Zhao S., Han C., Wang Z., Zhong S., Sun S., Guo R., Zhou X., Gu C., Yuan K., Li Z., Chen W. // Nano Lett 2016,. DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01459 EDN: WSBQGV
254. Zhang W., Enriquez H., Tong Y., Bendounan A., Kara A., Seitsonen A. P., Mayne A. J., Dujardin G., Oughaddou H. // Small 2018, 1804066,. DOI: 10.1002/smll.201804066
255. Meyer J. C., Geim A. K., Katsnelson M. I., Novoselov K. S., Booth T. J., Roth S. // Nature, 2007, 446,. DOI: 10.1038/nature05545 EDN: MMGSGP
256. Garcia J. C., D. B. de Lima, Assali L. V. C., Justo J. F. // J. Phys. Chem. C, 115, 13242-13246 (2011). EDN: PHEIUZ
257. Li G., Li Y., Liu H., Guo Y., Li Y. Zhu D. // Chem. Commun., 46, 3256-3258 (2010). EDN: MZWCCV
258. Kang J., Li J., Wu F., Li S.-S., Xia J.-B. // J. Phys. Chem. C, 115, 20466-20470 (2011). EDN: PLWEXT
259. Sheng X.-L., Cui H.-J., Ye F., Yan Q.-B., Zheng Q.-R., Su G. // Journ. Appl. Phys., 112, 074315 (2012). EDN: RHZJBP
260. Perim E., Paupitz R., Autreto P. A. S., Galvao D. S. // J. Phys. Chem. C, 118, 23670-23674 (2014). EDN: UPHZBV
261. Denis P. A. // J. Phys. Chem. C, 118, 24976-24982 (2014). EDN: YFFMBR
262. Cahangirov S., Topsakal M., Akturk E., Sahin H., Ciraci S. // Phys. Rev. Lett., 102, 236804 (2009). EDN: MJXZHD
263. Grazianetti C., Cinquantaand E., Molle A. // 2D Mater. 2016, 3, 012001,. DOI: 10.1088/2053-1583/3/1/012001 EDN: WSJXFR
264. Liu C.-C., Jiang H., Yugui Yao Y. // Phys. Rev. B 84, 195430 (2011). EDN: RMFFMD
265. Rivero P., Yan J.-A., Garcia-Suárez V.M., Ferrer J., Barraza-Lope S. // Phys. Rtv. B 90, 241408(R) (2014).
266. Zhao H., Zhang C.-W., Ji W.-X., Zhang R.-W., Li S.-S., Yan S.-S., Zhang B.-M., Ping L. P., Wang P. J. // Scientific Reports, 2016, 6:20152,. DOI: 10.1038/srep20152 EDN: WUOSSH
267. Wang G., Pandey R., Karna S. P. // ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 11490-11496,. DOI: 10.1021/acsami.5b02441 EDN: UQSCOJ
268. Kamal C., Ezawa M. // Phys. Rev. B 91, 085423 (2015).
269. Aktürk E., Aktürk O. U., Ciraci S. // Phys. Rev. B 94, 014115 (2016).
270. Lee J., Tian W.-C., Wang W.-L., Yao D.-X. // Scientific Reports 2015, 5:11512,. DOI: 10.1038/srep11512 EDN: UTUQKJ
271. Lin W., Li J., Wang W., Liang S.-D., Yao D.-X. // Scientific Reports 2018, 8:1674 |. DOI: 10.1038/s41598-018-19496-7 EDN: YFTSPR
272. Li J.-S., Wang W.-L. // Scientific Reports 2016, 6:34177,. DOI: 10.1038/srep34177 EDN: XTORLF
273. Oganov A. R., Chen J., Gatti C., Ma Y., Ma Y., Glass C. W., Liu Z., Yu T., Kurakevych O. O., Solozhenko V. L. // Nature 457, 863-867 (2009). EDN: LLSUYZ
274. Adamska L., Sadasivam S., Foley J. J., Darancet P., Sharifzadeh S. // J. Phys. Chem. C, 2018,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b10197 EDN: TYTAAI
275. Feng B., Zhang J., Zhong Q., Li W., Li S., Li H., Cheng P., Meng S., Chen L., Wu K. // Nature Chemistry 2016, :. DOI: 10.1038/nchem.2491 EDN: WPLUQZ
276. Feng B., Sugino O., Liu R.-Y., Zhang J., Yukawa R., Kawamura M., Iimor T.i, Kim H., Hasegawa Y., Li H., Chen L., Wu K., Kumigashira H., Komori F. // Phys. Rev. Lett., 118, 096401 (2017). EDN: YXOVCZ
277. Li W., Kong L., Chen C., Gou J., Sheng S., Zhang W., Li H., Chen L., Cheng P., Wu K. // Science Bulletin 2018, /. DOI: 10.1016/j.scib.2018.02.006 EDN: VFDCQX
278. Lopez-Bezanilla A., Littlewood P. B. // Phys. Rev. B 93, 241405(R) (2016).
279. Luo Z., Fan X., An Y. // Nanoscale Research Lett., 2017, 12:514,. DOI: 10.1186/s11671-017-2282-7 EDN: YGLXQV
280. Wang Z., Lü T.-Y., Wang H.-Q., Feng Y. P., Zheng J.-C. // Scientific Reports 2017, 7: 609,. DOI: 10.1038/s41598-017-00667-x EDN: YYMWHP
281. Mannix A. J., Zhou X.-F., Kiraly B., Wood J. D., Al-ducin D., Myers B. D., Liu X., Fisher B. L., Santiago U., Guest J. R., Yacaman M. J., Ponce A., Oganov A. R., Hersam M. C., Guisinger N. P. // Science 350 (6267), 1513-1516 (2015).
282. Khan A. I., Chakraborty T., Acharjee N., Subrina S. // Scientific Reports 2017, 7: 16347,. DOI: 10.1038/s41598-017-16650-5 EDN: YISKGU
283. Peng B., Zhang H., Shao H., Xu Y., Zhang R., Zhu H. // Journal of Materials Chemistry C. 2016,. DOI: 10.1039/c6tc00115g EDN: WSPSDD
284. Pumera M., Sofer Z. // Adv. Mater. 2017, 1605299,. DOI: 10.1002/adma.201605299 EDN: YDOLTP
285. Rasmussen F. A., Thygesen K. S. // J. Phys. Chem. C 2015, 119, 13169-13183,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b02950 EDN: USVEKB
286. Chen X., Zhou Y., Liu Q., Li Z., Liu J., Zou Z. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 3372-3377 (2012). EDN: RJJUNL
287. Doudin N., Kuhness D., Blatnik M., Barcaro G., Negreiros F. R., Sementa L., Fortunelli A., Surnev S., Netzer F. P. // J. Phys. Chem. C 2016, 120, 28682-28693.
288. Johansson M. B., Kristiansen P. T., Duda L., Niklasson G. A., Österlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 28, 475802 (2016). EDN: XZLLPT
289. Wang J., Liu C.-J. // Chem. Bio. Eng. Rev. 2 (5), 335-350 (2015).
290. Zheng H., Ou J. Z., Strano M. S., Kaner R. B., Mitchell A., Kalantar-zadeh K. // Adv. Funct. Mater. 21, 2175-2196 (2011). EDN: OLPFMR
291. Locherer K. R., Swainson I. P., Salje E. K. H. // J. Phys.: Condens. Matter 11, 4143-4156 (1999). EDN: OKNUHF
292. Faudoa-Arzate A., Arteaga-Durán A., Saenz-Hernández R. J., Botello-Zubiate M. E., Realyvazquez-Guevara P. R., Matutes-Aquino J. A. // Materials 2017, 10, 200,. DOI: 10.3390/ma10020200
293. Johansson M. B., Baldissera G., Valyukh I., Persson C., Arwin H., Niklasson G. A., Osterlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 25 (2013) 205502 (11 pp). EDN: RPGHNV
294. Woodward P. M., Sleight A. W., Vogt T. // J. Phys. Chem. Solids, 56 (10), 1305-1315 (1995).
295. Wang F., Di Valentin C., Pacchioni G. // J. Phys. Chem. C, 115, 8345-8353 (2011). EDN: YBZJFP
296. Guimond S., Göbke D., Sturm J. M., Romanyshyn Y., Kuhlenbeck H., Cavalleri M., Freund H.-J. // J. Phys. Chem. C, 117, 8746-8757 (2013). EDN: RRJCXB
297. Molina-Mendoza A. J., Lado J. I., Island J. O., Niño M. A., Aballe L., Foerster M., Bruno F. Y., López-Moreno A., Vaquero-Garzon L., van der Zant H. S. J., Rubio-Bollinger G., Agraït N., Pérez E. M., Fernández-Rossier J., Castellanos-Gomez A. // Chem. Mater. 2016, 28, 4042-4051,. DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b01505 EDN: WUUGVZ
298. Chen J., Wei Q. // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2017, 1-6,. DOI: 10.1111/ijac.12750
299. Moura J. V. B., Silveira J. V., da Silva Filho J. G., Souza Filho A. G. S., Luz-Lima C., Freire P. T. C. // Vibrational Spectroscopy 2018,. DOI: 10.1016/j.vibspec.2018.07.008 EDN: YJHBFB
300. Yao D., Ou J. Z., Latham K., Zhuiykov S., O’Mullane A. P., Kalantar-zadeh K. // Cryst. Growth Des. 12, 1865-1870 (2012).
301. McCarron III E. M., Calabrese J. C. // Journ. Sol. St. Chem. 91, 121-125 (1991).
302. McGuire M. A. // Crystals 2017, 7, 121, 10.3390/ cryst7050121. DOI: 10.3390/cryst7050121 EDN: YFLDTA
303. Lebegue S., Bjorkman T., Klintenberg M., Nieminen R. M., Eriksson O. // Phys. Rev. X 3, 031002 (2013). EDN: SOLQDH
304. Jiang J., Liang Q., Meng R., Yang Q., Tan C., X. Sun X., Chen X. // Nanoscale, 2016,. DOI: 10.1039/C6NR07231C EDN: YWZDAP
305. Lado J. L., Fernández-Rossier J. // 2D Mater. 4, 035002 (2017). EDN: YHCWBP
306. Wang H., Eyert V., Schwingenschlögl U. // J. Phys. Condens. Matter 23 (2011) 116003, 23/11/116003. DOI: 10.1088/0953-8984/ EDN: PAHBSN
307. Luo W., Xiang H. // Nano Letters< 2015, 10.1021/ acs.nanolett.5b0041. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b0041
308. Merlino S., Labella L., Marchett F., Toscani S. // Chem. Mater. 16, 3895-3903 (2004).
309. Ashton M., Gluhovic D., Sinnott S. B., Guo J., Stewart D. A., Hennig R. G. // Nano Letters, 2017, 10.1021/acs. nanolett.7b01367. DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b01367
310. Zhou Y., Lu H., Zu X., Fei Gao F. // Scientific Repots 2016, 6:19407,. DOI: 10.1038/srep19407 EDN: WPWHFD
311. McGuire M. A., Jiaqiang Yan J., Lampen-Kelley P., May A. F., Cooper V. R., Lindsay L., Puretzky A., Liang L., Santosh K. C., Cakmak E., Calder S., Sales B. C. // arXiv:1711.02708v1 [cond-mat.mtrl-sci] 7 Nov 2017.
312. Kulish V. V., Wei Huang W. // J. Mater. Chem. C, 2017,. DOI: 10.1039/C7TC02664A EDN: YJAKZU
313. Torun E., Sahin H., Singh S. K., Peeters F. M. // Appl. Phys. Letters 106, 192404 (2015),. DOI: 10.1063/1.4921096 EDN: UUFMTD
314. Zhang S.-H., Liu B.-G. // arXiv:1706.08943v2 [cond-mat.mes-hall] 7 Jul 2017.
315. Maheshwari S., Savenije T. J., Renaud N., Grozema F. C. // J. Phys. Chem. C 2018,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b05715 EDN: YJAOTJ
316. Bala A., Deb A. K., Kumar V. // J. Phys. Chem. C 2018,. DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b11322 EDN: YGQRZZ
317. Pham Vu Nhat, Ngo Tuan Cuong, Pham Khac Duy, Minh Tho Nguyen // Chemical Physics 400, 185-197 (2012). EDN: PGIPWD
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Корнеев А. В., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х.
Особенности коммутации высоковольтного вакуумного диода плазмой вспомогательной искры 3
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Пономаренко В. П., Попов В. С., Попов С. В., Чепурнов Е. Л.
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор)
(Часть I. 2D-материалы: свойства и синтез) 10
Патрашин А. И., Ковшов В. С., Никонов А. В., Бурлаков И. Д.
Метод измерения абсолютной спектральной характеристики ИК МФПУ 49
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Сахаров Ю. В.
Изменение структуры и электрофизических свойств пористых пленок диоксида кремния при модификации углеродом в магнетронном разряде 55
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Климов А. В., Мануилов В. Н.
Численное моделирование анализатора параметров электронных пучков мощных гиротронов 63
Логинов В. В.
Новые ксеноновые короткодуговые лампы сверхвысокого давления с сапфировой оболочкой 70
Волков А. Д., Кравченко М. Д., Павлов А. В.
Стенд для исследования характеристик строу 76
Oхрем В. Г.
Новое термоэлектрическое холодильное устройство для получения низких температур 84
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, A. V. Korneev, A. A. Pshenichniy, and R. Kh. Yakubov
Features of high-voltage vacuum diode switching plasma auxiliary spark 3
PHOTOELECTRONICS
V. P. Ponomarenko, V. S. Popov, S. V. Popov, and E. L. Chepurnov
Photo- and nanoelectronics based on two-dimensional 2D-materials (a review)
(Part I. 2D-materials: properties and synthesis) 10
A. I. Patrashin, V. S. Kovshov, A. V. Nikonov, and I. D. Burlakov
IR array absolute spectral characteristics measurement by an alternative method 49
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Yu. V. Sakharov
Changes in the structure and electrophysical properties of porous silicon dioxide films during carbon modification in a magnetron discharge 55
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
A. V. Klimov and V. N. Manuilov
Numerical simulation of electrostatic analyzer of helical electron beams in powerful gyrotrons 63
V. V. Loginov
New high-pressure xenon short-arc lamps with sapphire shell 70
A. D. Volkov, M. D. Kravchenko, and A. V. Pavlov
The test bench to study the characteristic of straw tubes 76
V. G. Okhrem
New thermoelectric refrigeration device for receiving the low temperatures 84
Другие статьи выпуска
Предложена модель термоэлектрического холодильного устройства, работающего на основе эффекта Пельтье, которое может быть использовано для получения глубокого охлаждения разного рода микроэлектронных приборов. Выполнен расчет глубины охлаждения этого устройства. Показано, что предложенное устройство может быть значительно более эффективным по сравнению с используемыми в настоящее время термоэлектрическими холодильниками. В статье сделан анализ полученных результатов, даны практические рекомендации.
Приводятся конструкция и технические параметры стенда, предназначенного для исследования характеристик тонкостенных трубок – строу (straw). Описана методика и представлены результаты измерений характеристик строу диаметром 9,8 мм и толщиной стенки 20 мкм. Определена область упругой деформации, которая простирается до натяжения (1,850 0,002) кгс. Натяжение, превышающее эту величину, приводит к упругопластической деформации, при которой возрастают скорость релаксации натяжения и ползучесть материала строу. Измерен модуль упругости материала трубки, составляющий (4,44 0,05)109 Н/м2. Результаты исследований температур-ной зависимость модуля упругости позволяют выбрать оптимальную температуру работы строу-детектора. Определен коэффициент Пуассона материала трубки, требуемый для оценки изменения её натяжения в вакууме. Его величина составила 0,338 0,004. Для процесса релаксации впервые рассматривается наличие квазипостоянного остаточного натяжения на временном интервале срока службы детектора, определяемого величиной начального натяжения строу. Представленные результаты показывают высокую точность измерений.
В работе выполнены экспериментальные исследования тепловых полей в газоразрядных лампах, позволившие расчетным путем определить конструктивные характеристики ксеноновой лампы сверхвысокого давления с сапфировой оболочкой. Предложенная конструкция газоразрядной лампы обладает бóльшей надежностью, соответствует по световым параметрам источнику излучения с шаровой кварцевой оболочкой, но по габаритным размерам меньше аналога в два раза.
Впервые разработана методика численного моделирования анализатора винтовых электронных пучков (ВЭП) гиротронов, работающего на принципе тормозящего электрического поля. Методика учитывает трехмерность распределения электрического поля и позволяет проводить анализ схем анализаторов с различной конфигурацией электродов в области торможения электронного пучка с целью определения погрешностей измерений питч-фактора, скоростного разброса и вида функции распределения по осцилляторным скоростям, вносимых за счет сложной трехмерной пространственной структуры тормозящего поля. Методика применима для расчета степени искажения функции распределения при различных входных функциях распределения по осцилляторным скоростям, реализующихся в системах формирования ВЭП с различными топологиями пучков (пограничный, ламинарный, регулярно пересекающийся, перемешанный).
Предложен принципиально новый физический метод получения пористых пленок диоксида кремния в вакуумных условиях. Показано, что процесс самоорганизации, возникающий при модификации пленок диоксида кремния углеродом, приводит к формированию пространственно распределенных пор, изменяющих электрофизические свойства диэлектрических пленок и расширяющих их функциональное назначение. Исследованы электрофизические свойства и структура пористых пленок, полученных в результате самоорганизации при магнетронном распылении составной мишени в атмосфере кислорода. Установлены корреляции между пористостью, структурой и электрофизическими свойствами пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом. Выявлено, что формирование пористой структуры способствует повышению селективной адсорбционной способности пленок диоксида кремния преимущественно за счет капиллярной конденсации в мезапорах, а также стимулированной адсорбции.
Рассмотрены физические и технические аспекты реализации альтернативного метода измерения абсолютной спектральной характеристики ИК МФПУ (спектр токовой чувствительности, вольтовой чувствительности и квантовой эффективности) без участия спектральных приборов. Метод основан на многократном измерении выходного сигнала всех ФЧЭ, генерированного модулированным излучением черного тела (МЧТ) при разных его температурах. Cигнал измеряется на фоне суммы постоянных сигналов, обусловленных излучением фона, входного оптического окна, модулятора излучения МЧТ, темновым током ФЧЭ и постоянным сигналом БИС-мультиплексора. На измеренных сигналах ФЧЭ строится система интегральных уравнений Фредгольма первого рода. В ее левой части стоят измеренные сигналы МЧТ, а в правой части системы стоят аналитические выражения, описывающие данные сигналы. Решением системы являются абсолютные значения вышеуказанных спектральных компонент всех ФЧЭ МФПУ. Рассмотрена блок-схема установки измерения, проанализированы функциональные особенности ее работы и обоснованы требования к ее блокам. Показаны дополнительные преимущества нового метода по сравнению с существующими методами.
Описаны методы синтеза, кристаллографические параметры и строение энергетических зон двумерных и квазидвумерных материалов, таких как графен, дихалькогениды переходных металлов IV-VIII групп, бинарные 2D-халькогениды IV, III и II групп вида трихалькогениды Ti, Zr, Hf, Nb, Bi, Sb, 2D-материалы вида AVBV (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-нитриды вида AIIIN (A = Al, Ga, In, B), моноатомные 2D-материалы (фосфорен P, плюмбен Pb, станен Sn, германен Ge, силицен Si, антимонен Sb, арсенен As, висмутен Bi, борофен В, окто-нитроген 8-N), функциализированные графен и карбид кремния SiC, двумерные оксиды CO, SiO, GeO, SnO, диоксиды переходных металлов, германия и олова, триоксиды MoO3, WO3, ди- и тригалогениды переходных металлов.
На основе анализа наблюдаемых в эксперименте вольт-амперных характеристик вакуумного диода с инжекцией плазмы поверхностного разряда сделано предположение о том, что первоначально проводящую среду в промежутке «катод-анод» создает ионизация остаточного газа излучением катодного пятна, сформированного на стадии искрового разряда по поверхности диэлектрика. Обнаружены свидетельства справедливости модели аномального ускорения ионов в вакуумном разряде на искровой стадии.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400