ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN (2018)

Читать

Читать онлайн

Созданы и исследованы матрицы ультрафиолетовых фотодиодов, чувствительные в ближнем ультрафиолетовом диапазоне спектра 0,2–0,4 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГЭС AlGaN). ГЭС AlGaN выращивались методами осаждения из металлоорганических соединений (MOVPE) и молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) на сапфировых подложках. Для уменьшения структурных дефектов исследовалось состояние поверхности и приповерхностного слоя эпиполированных сапфировых подложек, отрабатывалась технология их финишной обработки. Матрицы ультрафиолетовых фотодиодов в структурах ГЭС AlGaN изготавливались методом ионного травления. Проведено моделирование составляющих темнового тока для фотодиодов на основе нитридов алюминиягаллия. Рассчитаны основные составляющие темнового тока, такие как генерационнорекомбинационный, шунтирующей утечки, прыжковой проводимости, Пула–Френкеля. Показана возможность достижения фотоэлектрических параметров на уровне лучших зарубежных аналогов.

The UV visible-blind and solar-blind 320256 FPAs based on the AlxGa1-xN heterostructures have been developed and investigated. AlxGa1-xN heterostructures were grown by both metal organic vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) on sapphire substrates. To reduce structural defects, the surface and the near-surface layer of epipolished sapphire substrates were investigated, and the technology of their finishing processing was developed. FPAs based on AlGaN heterostructures were manufactured by ion etching. Dark current components and current-voltage characteristics of AlxGa1-xN photodiodes such as: generation-recombination, shunting leakage, hopping conductivity, Pool-Frenkel have been calculated. The performance on the level of the best analogs have been shown.

Ключевые фразы: AlGaN, GaN, ультрафиолетовый спектральный диапазон, УФ, гетероэпитаксиальные структуры, p–i–n-фотодиод, ультрафиолетовый фотоприемный модуль, уфм

Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна, Никонов Антон Викторович, Болтарь Константин Олегович, Седнев Михаил Васильевич

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID: 32582484

Для цитирования:

ЯКОВЛЕВА Н. И., НИКОНОВ А. В., БОЛТАРЬ К., СЕДНЕВ М. В. АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ ТЕМНОВЫХ ТОКОВ МАТРИЦ УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ ФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAN // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2018. ТОМ 6, №1

Текстовый фрагмент статьи

Активное развитие фотоэлектронных приборов на основе гетероструктур третьей группы нитридов вызвано идеальным соответствием ширины запрещенной зоны этого материала с ближним ультрафиолетовым диапазоном спектра. Полупроводниковые соединения А3В5 обеспечивают высокие выходные характеристики фотоприемных устройств благодаря высокой квантовой эффективности и малым темновым токам.

В работе проведено моделирование темновых токов в матрицах ультрафиолетовых фотодиодов, изготовленных из широкозонных материалов на основе двойных и тройных соединений нитридов алюминия-галлия. Определены отдельные составляющие темнового тока: ток диффузии, генерации-рекомбинации; ток утечки, Пула–Френкеля, прыжковый ток. Темновые токи УФ-фотодиодов при напряжениях смещения, близких к нулевому, составили от 110-13 до 810-13 A, что позволяет достигать высоких фотоэлектрических параметров для ультрафиолетовых фотоприемных устройств на основе ГЭС AlGaN. При напряжениях смещения, отличных от нулевого значения, основной вклад в темновой ток вносят генерационнорекомбинационные процессы. Токи утечек составляют при различных напряжениях смещения от 10-16 до 10-15 А, токи вследствие процессов ПулаФренкеля и прыжковой проводимости изменяются от 10-14 до 10-13 А.

Результаты работы показывают возможность достижения фотоэлектрических параметров отечественных p–i–n-фотодиодов и УФМ на уровне лучших зарубежных аналогов.

Список литературы

1. Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Яковлева Н. И., Кравченко Н. В., Седнев М. В., Смирнов Д. В., Иродов Н. A. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 3. С. 344.
2. Lamarre P. et al. / Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 639 © 2001 Materials Research Society.
3. Reine M. B. et al. // Proc. of SPIE. Vol. 6119. 2006. P. 611901-1.
4. Long J. P. et al. // Opto-electronics Reviws. 2002. Vol. 10. No. 4. P. 251.
5. Носов Ю. Г., Деркаченко Л. И. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 10. С. 139.
6. Uchida K., Watanabe A., Yano F., Koguchi M., Tanaka T., Minagawa S. // Journal of Applied Physiology. 1996. No. 79. P. 3487.
7. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y., Kozaki T., Umemoto H., Sano M., Chocho K. Proceedings of ICNS’97, Tokushima, Japan, K. Hiramatsu (ed.) (1997), p. 444; J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
8. Shaw D. W. // J. Electrochem. Soc. 1966. Vol. 113. P. 904.
9. McClelland R. W., Bolzer C. O., Fan J. C. C. // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 37. P. 560.
10. Shen X.-Q., Tanaka S., Iwai S., Aoyagi Y. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. P. 344.
11. Малин Т. В., Гилинский А. М., Мансуров В. Г., Протасов Д. Ю., Шестаков А. К., Якимов Е. Б., Журавлев К. С. // Журнал технической физики. 2015. Т. 85. Вып. 4. С. 67.
12. Zhuravlev K. S., Mansurov V. G., Protasov D. Yu., Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Govorkov A. V. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. No. 11. P. 113712.
13. Haffouz S., Beaumont B., Vennegues P., Gibart P. // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 176. P. 677.
14. Eagleasham D. J., Unterwald F. C., Jacobson D. C. // Phys. Rev. Lett. 1993. Vol. 70. P. 966.
15. Han J., Ng T.-B., Biefeld R. M., Crawford M. H., Follstaedt D. M. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 3114.
16. Haffouz S., Kirilyuk V., Hageman P. R., Macht L., Weyher J. L., Larsen P. K. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 2390.
17. Sakai S., Wang T., Morishima Y., Naoi Y. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. P. 334.
18. Bottcher T., Einfeldt S., Figge S., Chierchia R., Heinke H., Hommel D., Speck J. S. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 1976.
19. Cho H. K., Lee J. Y., Kim K. S., Yang G. M., Song J. H., Yu P. W. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 89. P. 2617.
20. Kim K. S., Oh C. S., Lee K. J., Yang G. M., Hong C.-H., Lim K. Y., Lee H. J., Yoshikawa A. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. P. 8441.
21. Cho H. K., Lee J. Y., Kim K. S., Yang G. M., Song J. H., Yu P. W. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. P. 2671.
22. Wang T., Shirahama T., Sun H. B., Wang H. X., Bai J., Sakai S., Misawa H. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 2220.
23. Tadao Hashimoto, Masaaki Yuri, Masahiro Ishida, Yoshitami Terakoshi, Osamu Imafuji, Takashi Sugino, Kunio Itoh, Jpn. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. 6605.
24. Xu H. Z., Takahashi K., Wang C. X., Wang Z. G., Okada Y., Kawabe M., Harrison I., Foxon C. T. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 222. P. 110.
25. Takayuki Yuasa, Yoshihiro Ueta, Yuhzoh Tsuda, Atushi Ogawa, Mototaka Taneya, Katsutoshi Takao, Jpn. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. L703.
26. Figge S., Bottcher T., Einfeldt S., Hommel D. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. P. 262.
27. Shigeo Yamaguchi, Michihiko Kariya, Masayoshi Kosaki, Yohei Yukawa, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. P. 7820.
28. Asano T., Yanashima K., Asatsuma T., Hino T., Yamaguchi T., Tomiya S., Funato K., Kobayashi T., Ikeda M. // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 176. P. 23.
29. Liu B. L., Lachab M., Jia A., Yoshikawaa A., Takahashi K. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 234. P. 637.
30. Huang D., Reshchikov M. A., Yun F., King T., Baski A. A., Morkoc H. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 216.
31. Hadis M. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 2. (2008).
32. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 1. Пер. с англ. – М.: Мир, 1984.
33. Reine M. B. etc. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6119. P. 611901-1.
34. Cohen I., Zhu T., Liu L., Murphy M., Pophristic M., Pabisz M., Gottfried M., Shelton B., Peres B., Ceruzzi A., Stall R. // IEEE APEC, Austin, 2005. P. 311–314.
35. McClintock R. et. al. // Proc. of SPIE. 2001. Vol. 4288.
36. Rhoderick E. H., Williams R. H. Metal Semiconductor Contacts – Oxford University Press, 1988.
37. Shah J. M. etc. // Journal of Applied Physics. 2003. Vol. 94. No. 4.
38. Hirsch L., Barriere A. S. // Journal of Applied Physics. 2003. Vol. 94. No. 8. P. 5014.
39. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах. – М.: Мир, 1982. .
40. Pollak M. etc. // Journal of Physics C.: Solid State Physics. 1983. Vol. 9. P. 2339.
41. Temkin H. Ultraviolet Photodetectors Based on GaN and AlGaN, in Recent and Evolving Advanced Semiconductor and Organic Nano-Technologies, Nanoscale Electronics and Optoelectronics, vol. 1, – Academic Press, San Diego CA, 2003.
42. Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника – М., Техносфера, 2004.

1. I. D. Burlakov, K. O. Boltar, N. I. Iakovleva, et. al., Usp. Prikl. Fiz. 1 (3), 344 (2013).
2. P. Lamarre et al., in Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 639 (2001, Materials Research Society).
3. M. B. Reine et al., Proc. of SPIE 6119, 611901-1 (2006).
4. J. P. Long et al., Opto-electronics Reviews 10 (4), 251 (2002).
5. Yu. G. Nosov and L. I. Derkachenko, Tech. Phys. 73 (10), 139 (2003).
6. K. Uchida, A. Watanabe, F., Yano et al., Journal of Applied Physiology, No. 79, 3487 (1986).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, in Proceedings of ICNS’97, (Tokushima, Japan, 1997), p. 444.
8. D. W. Shaw, J. Electrochem. Soc. 113, 904 (1966).
9. R. W. McClelland, C. O. Bolzer, and J. C. C. Fan, Appl. Phys. Lett. 37, 560 (1980).
10. X.-Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 344 (1998).
11. T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, et al., Tech. Phys. 85 (4), 67 (2015).
12. K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, et al., J. Appl. Phys. 105 (11), 113712 (2009).
13. S. Haffouz, B. Beaumont, P. Vennegues, and P. Gibart, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 677 (1999).
14. D. J. Eagleasham, F. C. Unterwald, and D. C. Jacobson, Phys. Rev. Lett. 70, 966 (1993).
15. J. Han, T.-B. Ng, R. M. Biefeld, M. H. Crawford, and D. M. Follstaedt, Appl. Phys. Lett. 71, 3114 (1997).
16. S. Haffouz, V. Kirilyuk, P. R. Hageman, L. Macht, J. L. Weyher, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 79, 2390 (2001).
17. S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima, and Y. Naoi, J. Cryst. Growth 221, 334 (2000).
18. T. Bottcher, S. Einfeldt, S. Figge, R. Chierchia, H. Heinke, D. Hommel, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 78, 1976 (2001).
19. Hyung Koun Cho, Jeong Yong Lee, Ki Soo Kim, Gye Mo Yang, Jae Ho Song, and Phil Won Yu, J. Appl. Phys. 89, 2617 (2000).
20. Ki Soo Kim, Chang Seok Oh, Kang Jea Lee, Gye Mo Yang, Chang-Hee Hong, Kee Young Lim, Hyung Jae Lee, and Akihiko Yoshikawa, J. Appl. Phys. 85, 8441 (1999).
21. Hyung Koun Cho, Jeong Yong Lee, Ki Soo Kim, Gye Mo Yang, Jae Ho Song, and Phil Won Yu, J. Appl. Phys. 89, 2671 (2001).
22. T. Wang, T. Shirahama, H. B. Sun, H. X. Wang, J. Bai, S. Sakai, and H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 76, 2220 (2000).
23. Tadao Hashimoto, Masaaki Yuri, Masahiro Ishida, Yoshitami Terakoshi, Osamu Imafuji, Takashi Sugino, and Kunio Itoh, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6605 (1999).
24. H. Z. Xu, K. Takahashi, C. X. Wang, Z. G. Wang, Y. Okada, M. Kawabe, I. Harrison, and C. T. Foxon, J. Cryst. Growth 222, 110 (2001).
25. Takayuki Yuasa, Yoshihiro Ueta, Yuhzoh Tsuda, Atushi Ogawa, Mototaka Taneya, and Katsutoshi Takao, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L703 (1999).
26. S. Figge, T. Bottcher, S. Einfeldt, and D. Hommel, J. Cryst. Growth 221, 262 (2000).
27. Shigeo Yamaguchi, Michihiko Kariya, Masayoshi Kosaki, Yohei Yukawa, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki, J. Appl. Phys. 89, 7820 (2001).
28. T. Asano, K. Yanashima, T. Asatsuma, T. Hino, T. Yamaguchi, S. Tomiya, K. Funato, T. Kobayashi, and M. Ikeda, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 23 (1999).
29. B. L. Liu, M. Lachab, A. Jia, A. Yoshikawaa, and K. Takahashi, J. Cryst. Growth, 234, 637 (2002).
30. D. Huang, M. A. Reshchikov, F. Yun, T. King, A. A. Baski, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 80, 216 (2002).
31. M. Hadis, Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 2., (2008).
32. S. See, Physics of Semiconductor Devices (Mie, Moscow, 1984) [in Russian].
33. M. B. Reine, et al., Proc. of SPIE 6119, 611901-1 (2006).
34. I. Cohen, T. Zhu, L. Liu, M. Murphy, M. Pophristic, M. Pabisz, M. Gottfried, B. Shelton, B. Peres, A. Ceruzzi, and R. Stall, in IEEE APEC, (Austin, 2005), pp. 311–314.
35. R. McClintock et al., Proc. of SPIE 4288, (2001).
36. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal Semiconductor Contacts (Oxford University Press, 1988).
37. J. M. Shah, et al., Journal of Applied Physics 94 (4), (2003).
38. L. Hirsch and A. S. Barriere, Journal of Applied Physics 94 (8), 5014 (2003).
39. H. Моtt, Electron Processes in Non Crystal Matters (Mir, Moscow, 1982) [in Russian].
40. M. Pollak et al., Journal of Physics C.: Solid State Physics 9, 2339 (1983).
41. H. Temkin, Ultraviolet Photodetectors Based on GaN and AlGaN, in Recent and Evolving Advanced Semiconductor and Organic Nano-Technologies, Nanoscale Electronics and Optoelectronics, vol. 1, (Academic Press, San Diego CA, 2003).
42. E. Rosensher and B. Winter, Optoelectronics (Tekhnosfera, Moscow, 2004) [in Russian].

Выпуск

Том 6, №1 (2018)

Кол-во страниц: 106 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Василяк Л. М. Физические методы дезинфекции (обзор) 5

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Боровской А. М. Моделирование течения холодного плазмообразующего газа в однокамерном трёхфазном плазмотроне переменного тока с электродами рельсового типа 18
Микаева С. А., Микаева А. С., Железникова О. Е., Муравьев В. В., Бойчук М. И. Математическая модель положительного столба разряда низкого давления в люминесцентных лампах 33

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА Яковлева Н. И., Никонов А. В., Болтарь К. О., Седнев М. В. Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN 44 ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Зиенко С. И., Беляков М. В., Малышкин В. В. Сравнительный анализ диэлектрических свойств покровной ткани семян растений в процессах возбуждения и люминесценции 56

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Батшева А. А., Кузнецов В. Ю., Полесский А. В., Тресак В. К. Универсальная зондовая установка для межоперационного контроля фотоэлектрических характеристик фотоприемников 68
Голицын А. А., Цивинский М. Ю. Сглаживание изображения при электронном увеличении в тракте видеообработки прибора наблюдения 75
Волков А. Д., Евтухович П. Г., Моисеенко А. С., Сабиров Б. М., Цамалаидзе З., Цверава Н. Влияние внутреннего давления на натяжение в сварных строу трекового детектора 83

ПЕРСОНАЛИИ

Памяти выдающегося ученого А. А. Рухадзе 91

ИНФОРМАЦИЯ

Перечень статей, переведенных и опубликованных в англоязычных журналах в 2017 г. 92
25-я Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 97
X-th International Workshop Microwave Discharges: Fundamentals and Applications (MD-10) 100
XLV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 101
Правила для авторов 103
Подписка на электронную версию журнала 106

C O N T E N T S

GENERAL PHYSICS

L. M. Vasilyak Physical methods of disinfection (a review) 5

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

A. M. Borovskoy Modelling of a cold plasma-forming gas flow in the one-chamber three-phase AC plasma torch with rail electrodes 18
S. A. Mikaeva, A. S. Mikaeva, O. E. Zheleznikova, V. V. Murav’ev, and M. I. Boychuk Main processes and characteristics in the mathematical model for a positive column of fluorescent lamps 33

PHOTOELECTRONICS

N. I. Iakovleva, A. V. Nikonov, K. O. Boltar, and M. V. Sednev Analysis of current-voltage characteristics in UV AlGaN heterostructure FPAs 44

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

S. I. Zienko, M. V. Beljakov, and V. V. Malyshkin Comparative analysis of the dielectric properties of the plant seeds integumentary tissues at the stages of excitation and emission of luminescence 56

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

A. A. Batsheva, V. Y. Kuznetsov, A. V. Polesskiy, and V. K. Tresak Universal test-bench for measure-ments of the photoelectric characteristics of photodetectors 68
A. A. Golitsyn and M. Y. Tsivinsky Methods of smoothing digitally enlarged images in video processing unit of the surveillance device 75
A. D. Volkov, P. G. Evtoukhovich, A. S. Moiseenko, B. M. Sabirov, Z. Tsamalaidze, and N. Tsverava In-fluence of internal pressure on stress of welded straws of track detectors 83

PERSONALIA

In memory of the outstanding scientist A. A. Rukhadze 91

INFORMATION

The list of articles translated and published in English language journals in 2017 92
XXV International Conference on Photoelectronics and Nigth Vision Devices 97
X-th International Workshop Microwave Discharges: Fundamentals and Applications (MD-10) 100
XLV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonuclear Fusion 101
Rules for authors 103
Subscription to an electronic version of the journal 106

Другие статьи выпуска

Влияние внутреннего давления на натяжение в сварных строу трекового детектора (2018)

Авторы: Волков Александр Дмитриевич, Евтухович Петр Григорьевич, Моисеенко Анатолий Сергеевич, Сабиров Басар Мухитдинович, Цамалаидзе Звиад, Цверава Николози

Представлены теоретический анализ и результаты проверки влияния внутреннего давления на натяжение сварных тонкостенных трубок из майлара (т. н. строу), используемых для создания трековых детекторов. Исследования показали, что при определенных условиях натяжение строу остается постоянным. Существенное влияние на натяжение оказывает перепад давления на торцевых заглушках. В зависимости от конструкции обеспечения строу газовой смесью перепад давления может отсутствовать. При этих условиях в вакууме строу будет подвергаться воздействию поперечного напряжения, которое частично препятствует её ползучести, что увеличивает срок службы строу. Наличие перепада давления вносит вклад в увеличение ползучести. Результаты проверки влияния давления подтверждают полученные зависимости, на которые можно опираться при создании строу-детекторов для работы в вакууме. Предложена новая методика измерения коэффициента Пуассона готовой строу, значение которого требуется для оценки влияния давления на натяжение сварных строу. Для трубок детектора COMET его значение равно 0,338.

Сохранить в закладках

Сглаживание изображения при электронном увеличении в тракте видеообработки прибора наблюдения (2018)

Авторы: Голицын Александр Андреевич, Цивинский Михаил Юрьевич

Рассмотрено несколько способов интерполяции, используемых для электронного увеличения изображений. Каждый из рассматриваемых способов реализован в тракте видеообработки тепловизионного прибора наблюдения. Проведено визуальное сравнение результатов увеличения изображений при наблюдении малоразмерного объекта на однородном фоне и на фоне другого объекта. Наиболее удачным признан способ увеличения изображения при помощи интерполяции Митчелла.

Сохранить в закладках

Универсальная зондовая установка для межоперационного контроля фотоэлектрических характеристик фотоприемников (2018)

Авторы: Батшева Анастасия Александровна, Кузнецов Виталий Юрьевич, Полесский Алексей Викторович, Тресак Виктория Константиновна

Приведены результаты разработки установки, предназначенной для межоперационного контроля фотоприемников и фотоприемных устройств на основе Si, Ge, InGaAs I-го поколения, предназначенных для приема лазерного излучения, на стадиях производства до резки пластины на отдельные фоточувствительные элементы. Установка позволяет проводить измерения темнового тока, токовой чувствительности, разброса чувствительности, коэффициента фотоэлектрической связи в нормальных климатических условиях.

Сохранить в закладках

Сравнительный анализ диэлектрических свойств покровной ткани семян растений в процессах возбуждения и люминесценции (2018)

Авторы: Зиенко Станислав Иванович, Беляков Михаил Владимирович, Малышкин Василий Викторович

Статья посвящена комплексному исследованию диэлектрических свойств покровной ткани семян растений на стадиях возбуждения и испускания люминесценции: кукурузы, пшеницы, ячменя, перца и козлятника. Экспериментально установлена относительно низкая стабильность спектров возбуждения и испускания люминесценции по их относительной ширине, которая в лучшем случае для козлятника составляет, примерно, 0,077. Обнаружено существование между модулем и мнимой частью комплексного спектра на пиковой частоте угла задержки, величина которого определяется временем максвелловской релаксации. Предложена электрическая схема полосового RC-фильтра, отражающего свойства среды на этапах возбуждения и испускания люминесценции. Показана возможность определения показателя преломления среды по величине добротности спектра по шкале энергии. Обработка данных эксперимента выполнена с использованием математического пакета Microcal Origin (7 версия).

Сохранить в закладках

Математическая модель положительного столба разряда низкого давления в люминесцентных лампах (2018)

Авторы: Микаева Светлана Анатольевна, Микаева Анжела Сергеевна, Железникова Ольга Евгеньевна, Муравьев Вячеслав Викторович, Бойчук Максим Иванович

Проведен анализ математических моделей расчета микро- и макрохарактеристик положительного столба разряда в парах ртути низкого давления и люминесцентных ламп. Описаны основные процессы и характеристики, подлежащие учету в математической модели положительного столба люминесцентных ламп. Представлены и описаны радиальные распределения, закономерности и связи, примененные при разработке программы. Разработаны и описаны алгоритм и программа расчета микрохарактеристик плазмы и удельных характеристик положительного столба. Представлены основные формулы применимые для расчета и данные о зависимостях от параметров разряда в виде формул, полученных по экспериментальным результатам зондовых и термопарных измерений в лампах с трубками большого диаметра. Приведена блок-схема программы Lumen–Compact, которая состоит из подпрограмм, выполненных в виде отдельных файлов, позволяющих реализовать определенные этапы расчета.

Сохранить в закладках

Моделирование течения холодного плазмообразующего газа в однокамерном трёхфазном плазмотроне переменного тока с электродами рельсового типа (2018)

Авторы: Боровской Алексей Михайлович

Характеристики плазмотронов (далее – П) зависят от организации подачи плазмообразующего газа и характера взаимодействия газового потока с электрическими дугами. Поэтому на первом этапе исследования было выполнено 3D-моделирование газодинамического течения холодного рабочего газа в следующих областях инжектора (однофазного двухканального П переменного тока): тангенциальной подачи, цилиндрического канала, сужающегося сопла, а также, самое главное, в разрядной камере трёхфазного П с электродами рельсового типа и за его пределами (в окружающей среде) при оптимальном режиме работы инжектора и разрядной камеры этого П. В этом исследовании одновременно проводилось тщательное сравнение течения холодного плазмообразующего газа в инжекторе и в разрядной камере П с электродами рельсового типа при включённом тангенциальном контуре его разрядной камеры с течением холодного плазмообразующего газа в инжекторе и в разрядной камере П с электродами рельсового типа при отключенном тангенциальном контуре его разрядной камеры.

Сохранить в закладках

Физические методы дезинфекции (обзор) (2018)

Авторы: Василяк Леонид Михайлович

Рассмотрены основные физические методы дезинфекции воздуха, воды и поверхностей, такие как фильтрация, озонирование, воздействие ультрафиолетовым излучением, фотокатализ, холодная плазма, электрический разряд, электропорация в электрическом поле. Основное внимание уделено рассмотрению традиционных и новых методов обеззараживания воздуха. Даны рекомендации по применения импульсного УФ-излучения. Проанализированы возможности применения электрического поля для дезинфекции воды и воздуха.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Наведите камеру на QR-код, чтобы открыть моб. версию страницы.

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.