Статья: Применение метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при получении шихты для производства объемных монокристаллов карбида кремния

С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.

Информация о документе

Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2020
Автор(ы)
Неверов В. А., Скворцов Д. А., Мамин Б. Ф., Сидоров Р. И.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.