Статья: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов

Проведено исследование режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления по току биполярных транзисторов n-p-n типа. Показано, что при использовании контактных систем Si-Al требуемые значения коэффициента усиления достигаются при температурах отжига более 400 С, в то время как для системы Si-Ti-Al необходим отжиг при температуре не менее 520 С. Полученные результаты объясняются переходом подслоя Ti в соединения с последующим образованием на поверхности кремния слоя, обогащенного алюминием

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-3-19-24
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2025
Автор(ы)
Попов К. А., Антонова В. Е., Родина А. М., Климанов Е. А., Ляликов А. В.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.