Статья: Неоднородность чувствительности матриц ИК-фотоприемников вследствие дифракции при фотолитографических процессах

Проведен анализ возможных факторов искажения изображения фотошаблона в слое фоторезиста в процессах контактной фотолитографии при изготовлении матричных ИК фотоприёмников, что приводит к неодинаковости геометрических размеров элементов фотоприемных матриц и как следствие, неоднородности по пикселям чувствительности матричных ИК-фотоприёмников. Исследованы особенности формирования фоточувствительных элементов матриц форматов 384 288 с шагом 25 мкм, 320256 с шагом 30 мкм и 640 512 с шагом 15 мкм на основе гетероэпитаксиальных слоев GaAs/AlGaAs и xBn-InGaAs, выращенных на подложках из арсенида галлия и фосфида индия соответственно. Исследовано влияние на неоднородность чувствительности неплоскостности поверхности гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых пластин и дефектов на поверхности пластин.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2025-13-3-194-200
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2025
Автор(ы)
Болтарь К., Седнев М. В., Трухачев А. В., Лопухин А. А., Пермикина Е. В.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.