Статья: Механизм формирования эпитаксиальных пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством, получаемых термовакуумным напылением в среде водорода

Представлены результаты получения эпитаксиальных пленок теллура на подложках из слюды (мусковит) методом термического испарения Те в среде водорода. Образование молекул Н2Te в зоне тигля, их диффузия в зону подложки и термализация с ростовой поверхностью за счёт высокой теплопроводности водорода, диссоциативная ад-сорбция Н2Te на поверхности с последующей десорбцией H2 и накоплением атомарного теллура (Те) являются ключевыми особенностями процесса кристаллизации пленки на всех ее стадиях. Атомарный теллур способствует зарождению и ро-сту жидкокапельных ориентированных зародышей при температурах подложки близких к температуре плавления теллура (450 оС). На стадии коалесценции жидко-фазных островков формируется «мозаика» островковой фазы, состоящая из пустот разных размеров, ограниченных кристаллографическими гранями. После формирования сплошной пленки начинается стадия автоэпитаксиального роста пленки, также реализуемая по островковому механизму пар-жидкость-кристалл (ПЖК-механизм). По структурному совершенству, полученные пленки и слои Те превосходят объемные монокристаллы и могут найти применение для изготовления приборных структур в области микро-, опто-, акустоэлектроники.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2021
Автор(ы)
Рабаданов М. Х., Исмаилов А. (., Шапиев И. М., Кузьмин А. О.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.