Статья: Экспериментальное исследование барьерных NBN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях

Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувствительных структур для MWIR и LWIR диапазонов инфракрасного (ИК) излучения, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведены измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ), как темновых, так и при наличии засветки. Определены параметры NBN-структуры, реализующей максимальные значения фототока и минимальные значения темновых токов в рабочем интервале напряжений смещения V для повышенных рабочих температур.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-3-37-42
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2022
Автор(ы)
Войцеховский А. В., Дзядух С. М., Горн Д. И., Дворецкий С., Михайлов Н., Сидоров Г. Ю.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.