Исследовано влияние уровня содержания модификатора на поведение оптических характеристик термически осажденных пленок халькогенидных стекол триселенида мышьяка. Наблюдается параллельный сдвиг края поглощения в сторону коротких волн и уменьшение наклона экспоненциального «хвоста». Увеличение наклона энергетической зависимости Урбаха с увеличением степени модификации можно интерпретировать как увеличение концентрации связей металл-металл за счет отклонения от стехиометрии, так и переходом через значение координационного числа, соответствующего точке топологического фазового перехода. Одновременное уменьшение ширины запрещенной зоны указывает, по-видимому, на увеличение дефектности структуры. Кроме того, это может свидетельствовать о наличии более высокой концентрации ловушечных состояний вблизи уровня Ферми, приводящей к соответствующему размытию «хвостов» проводимости халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП).
The influence of the level of modifier content on the behavior of the optical characteristics of thermally deposited films of arsenic triselenide chalcogenide glasses is investigated. A parallel shift of the absorption edge towards short wavelengths and a decrease in the slope of the exponential “tail” are observed. The increase in the slope of the Urbach energy dependence with an increasing modification level can be explained both by an increase in the concentration of metal-metal bonds, due to a deviation from stoichiometry, and by a transition through the value of the coordination number corresponding to the point of the topological phase transition. A simultaneous decrease in the band gap apparently indicates an increase in the defectiveness of the structure. In addition, it may indicate the presence of a higher concentration of trap states near the Fermi level, leading to a corresponding smearing in the “tails” of conductivity in chalcogenide glassy semiconductors (CGS).
Идентификаторы и классификаторы
- Префикс DOI
- 10.33910/2687-153X-2024-5-1-39-43
- eLIBRARY ID
- 66182672