ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X

Языки: ru · en

Статья: Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 с расширенной областью чувствительности 0,4–2,0 мкм на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS cо слоем из p-NiOx, блокирующим электроны (2025)

Читать

Читать онлайн

Приборы ночного видения с расширенной областью чувствительности от 0,4 мкм до 2,0 мкм имеют важнейшее значение для научных, гражданских и специальных применений. Приведены архитектура и основные характеристики матричного фотосенсора формата 640512 (шаг 15 мкм) с расширенной областью чувствительности (0,4–2,0 мкм), разработанного на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS. Основная часть фототока генерируется в слое ККТ n-PbS-TBAI. Этот слой изготовлен путем замены исходного лиганда (олеиновая кислота) на йод при обработке слоя ККТ иодидом тетра-н-бутиламмония (TBAI). Слой, блокирующий электроны (транспортный слой для дырок), создавался на основе p-NiOx. Слой, блокирующий дырки (транспортный слой для электронов), изготавливался на основе n-ZnO.

Imaging in the infrared wavelength with extended spectral range from 0.4 m to 2.0 m has been fundamental for scientific, civil and special applications. In this paper structure and main characteristics of large format 640512 (pitch 15 m) photodetector with extended spectral response (0.4–2.0 m) based on colloidal quantum dot were presented. The main part of pho-tocurrent was generated in CQDs n-PbS-TBAI layer. This layer was fabricated by solid-state exchange of initial long-chain ligand (oleic acid) with iodine after tetra-n-butilammonium (TBAI) treatment. Electron blocking layer (hole transport layer) fabricated by deposition of p-NiOx. Hole blocking layer (electron transport layer) was made by deposition of n-ZnO.

Ключевые фразы: : коллоидная квантовая точка (ккт), лиганд, транспортный слой, фотосенсор

Автор (ы): Пономаренко Владимир, Попов Виктор, Панков Михаил Александрович

Соавтор (ы): Хамидуллин Камиль Алиевич, Фёдоров Александр Александрович, Драгунов Денис Эдуардович, Лазарев Павел Сергеевич, Бурлаков Игорь, Полесский Алексей Викторович, Старцев Вадим Валерьевич, Деомидов Александр Дмитриевич, Деев Герман Юрьевич, Ильинов Денис Владимирович, Бричкин Сергей, Спирин Максим Геннадьевич, Певцов Дмитрий Николаевич, Кацаба Алексей Викторович, Кириченко Алексей Сергеевич, Демкин Дмитрий Викторович, Иванова Валерия Антоновна, Иванов Виктор Владимирович, Разумов Владимир Федорович

Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.039.325. Ионный обмен
Префикс DOI: 10.51368/1996-0948-2025-2-12-20

Для цитирования:

ПОНОМАРЕНКО В., ПОПОВ В., ПАНКОВ М. А., ХАМИДУЛЛИН К. А., ФЁДОРОВ А. А., ДРАГУНОВ Д. Э., ЛАЗАРЕВ П. С., БУРЛАКОВ И., ПОЛЕССКИЙ А. В., СТАРЦЕВ В. В., ДЕОМИДОВ А. Д., ДЕЕВ Г. Ю., ИЛЬИНОВ Д. В., БРИЧКИН С., СПИРИН М. Г., ПЕВЦОВ Д. Н., КАЦАБА А. В., КИРИЧЕНКО А. С., ДЕМКИН Д. В., ИВАНОВА В. А., ИВАНОВ В. В., РАЗУМОВ В. Ф. НЕОХЛАЖДАЕМЫЙ МАТРИЧНЫЙ ФОТОСЕНСОР 640512 С РАСШИРЕННОЙ ОБЛАСТЬЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ 0,4–2,0 МКМ НА ОСНОВЕ КОЛЛОИДНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ККТ PBS CО СЛОЕМ ИЗ P-NIOX, БЛОКИРУЮЩИМ ЭЛЕКТРОНЫ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. №2

Текстовый фрагмент статьи

Список литературы

Попов В. С., Пономаренко В. П. Новая фото-сенсорика: 0D vs 2D. – М.: МФТИ, Физтех, 2024.
Пономаренко В. П., Попов В. С., Шук-лов И. А., Иванов В. В., Разумов В. Ф. / Успехи химии. 2024. Т. 93. № 4. С. RCR5113.
https://doi.org/10.59761/RCR5113.
Hinds S., Klem E., Gregory C., Hilton A., Hames G., Violette K. / Proc. of SPIE. 2020. Vol. 11407. https://doi.org/ 10.1117/12.2559115.
Malinowski P. E., Georgitzikis E., Maes J., Vamvaka I., Frazzica F., Van Olmen J., De Moor P., Heremans P., Hens Z., Cheyns D. / Sensors. 2017. Vol. 17. P. 2867. https://doi.org/10.3390/s17122867.
Gréboval C., Darson D., Parahyba V., Al-chaar R., Abadie C., Noguier V., Ferré S., Izquierdo E., Khalili A., Prado Y., Potet P., Lhuillier E. / Nanoscale. 2022. Vol. 14. № 26. Р. 9359–9368.
https://doi.org/10.1039/D2NR01313D.
Попов В. С., Пономаренко В. П., Попов С. В. / Прикладная физика. 2023. № 6. С. 45.
https://doi.org/ 10.51368/1996-0948-2023-6-45-53.
Бурлаков И. Д., Гринченко Л. Я., Дироч-ка А. И., Залетаев Н. Б. / Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 2. С. 131–162.
Martin T., Dixon P., Gagliardi M.-A., Ma-saun N. / Proc. of SPI. 2005. Vol. 5726. P. 85–91.
https://doi.org/ 10.1117/12.596409.
Пономаренко В. П., Попов В. С., Пан-ков М. А., Хамидуллин К. А., Деомидов А. Д., Федо-ров А. А., Деев Г. Ю., Драгунов Д. Э., Епифанов О. В., Лазарев П. С., Мирофянченко Е. В., Ильинов Д. В., Петрушина В. А., Бурлаков И. Д., Полесский А. В., Старцев В. В., Бричкин С. Б., Спирин М. Г., Товстун С. А., Гапанович М. В., Гак В. Ю., Гадом-ская А. В., Певцов Д. Н., Кацаба А. В., Кириченко А. С., Демкин Д. В., Иванова В. А., Иванов В. В., Разумов В. Ф. / Прикладная физика. 2025. № 1. C. 54.
https://doi.org/ 10.51368/1996-0948-2025-1-45-54.
Yin X., Guo Y., Xie H., Que W., Kong L. B. / Sol. RRL. 2018. P. 1900001.
https://doi.org/ 10.1002/solr.201900001.
Lian X., Chen J., Shan S., Wu G., Chen H. / ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. Vol. 12. № 41. Р. 46340–46347. https://doi.org/ 10.1021/acsami.0c11731.
Ajili M., Jebbari N., Turki N. K., Castagné M. / International Renewable Energy Congress. 2010. IREC2010, November 5–7, Sousse, Tunisia. P. 305–309.
Moreels I., Lambert K., Smeets D., De Muynck D., Nollet T., Martins J. C., Vanhaecke F., Vantomme A., Delerue C., Allan G., Hens Z. / ACS Nano. 2009. Vol. 3. № 10. Р. 3023–3030.
https://doi.org/ 10.1021/nn900863a.
Beygi H., Abdolkarim Sajjadi S., Ba-bakhani A., Young J. F., van Veggel F. C. J. / Applied Surface Science. 2018. Vol. 457. P. 1–10.
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.06.152.
Гусарова Н. И., Кощавцев Н. Ф., Попов С. В. / Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 3. С. 288–292. https://doi.org/10.1134/S1064226916100144.
Voilmerhausen R., Maurer T. / Proc. of SPIE. 2003. Vol. 5076. P. 60–69. https://doi.org/ 10.1117/12.487189.

Popov V. S. and Ponomarenko V. P. New photosensorics: 0D vs 2D. Moscow, MIPT, 2024.
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Shuklov I. A., Ivanov V. V. and Razumov V. F., Russ. Chem. Rev. 93 (4), RCR5113 (2024). https://doi.org/10.59761/RCR5113.
Hinds S., Klem E., Gregory C., Hilton A., Hames G. and Violette K., Proc. of SPIE 11407 (2020).
https://doi.org/ 10.1117/12.2559115.
Malinowski P. E., Georgitzikis E., Maes J., Vamvaka I., Frazzica F., Van Olmen J., De Moor P., Heremans P., Hens Z. and Cheyns D., Sensors 17, 2867 (2017). https://doi.org/10.3390/s17122867.
Gréboval C., Darson D., Parahyba V., Alchaar R., Abadie C., Noguier V., Ferré S., Izquierdo E., Khalili A., Prado Y., Potet P. and Lhuillier E., Nanoscale 14 (26), 9359–9368 (2022). https://doi.org/10.1039/D2NR01313D
Popov V. S., Ponomarenko V. P. and Popov S. V., Journal of Сommunications Technology and Electronics 69 (4–6), 219–226 (2024). https://doi.org/ 10.51368/1996-0948-2023-6-45-53.
Burlakov I. D., Grinchenko L. Y. , Dirochka A. I. and Zaletaev N. B., Usp. Prikl. Fiz. (Advances in Applied Physics) 2 (2), 131–136 (2014) [in Russian].
Martin T., Dixon P., Gagliardi M.-A. and Masaun N., Proc. of SPIE 5726, 85–91 (2005).
https://doi.org/ 10.1117/12.596409.
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Pankov M. A., Khamidullin K. A., Deomidov A. D., Fedorov A. A., Deev G. Yu., Dragunov D. E., Epifanov O. V., Lazarev P. S., Mirofyanchenko E. V., Ilyinov D. V., Petrushi-na V. A., Burlakov I. D., Polessky A. V., Startsev V. V., Brichkin S. B., Spirin M. G., Tovstun S. A., Gapanovich M. V., Gak V. Yu., Gadomska A. V., Pevtsov D. N., Katsaba A. V., Kirichenko A. S., Demkin D. V., Ivanova V. A., Ivanov V. V. and Razumov V. F., Applied Physics, № 1, 45–54 (2025).
https://doi.org/ 10.51368/1996-0948-2025-1-45-54.
Yin X., Guo Y., Xie H., Que W. and Kong L. B., Sol. RRL, 1900001 (2018).
https://doi.org/ 10.1002/solr.201900001.
Lian X., Chen J., Shan S., Wu G. and Chen H., ACS Appl. Mater. Interfaces 12 (41), 46340–46347 (2020). https://doi.org/ 10.1021/acsami.0c11731.
Ajili M., Jebbari N., Turki N. K. and Castagné M., International Renewable Energy Congress 2010 (IREC2010, November 5–7, Sousse, Tunisia), pp. 305–309.
Moreels I., Lambert K., Smeets D., De Muynck D., Nollet T., Martins J. C., Vanhaecke F., Vantomme A., Delerue C., Allan G. and Hens Z., ACS Nano 3 (10), 3023–3030 (2009). https://doi.org/ 10.1021/nn900863a.
Beygi H., Abdolkarim Sajjadi S., Babakhani A., Young J. F. and van Veggel F. C. J., Applied Surface Sci-ence 457, 1–10 (2018). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.06.152.
Gusarova N. I., Koshchavtsev N. F. and Popov S. V., J. Commun. Technol. 61 (10), 1211–1214 (2016).
Voilmerhausen R. and Maurer T., Proc. of SPIE 5076, 60–69 (2003). https://doi.org/ 10.1117/12.487189.

Выпуск

№2 (2025)

Кол-во страниц: 99 страниц

ОБЩАЯ ФИЗИКА
Экспериментальная оценка качества лазерного излучения в методе дифференциального рассеяния Денисов Д. Г.
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 с расширенной областью чувствительности 0,4–2,0 мкм на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS cо слоем из p-NiOx, блокирующим электроны Пономаренко В. П., Попов В. С., Панков М. А., Хамидуллин К. А., Деомидов А. Д., Федоров А. А., Деев Г. Ю., Драгунов Д. Э., Епифанов О. В., Зарипов Ш. И., Лазарев П. С., Мирофянченко Е. В., Ильинов Д. В., Петрушина В. А., Бурлаков И. Д., Полесский А. В., Старцев В. В., Бричкин С. Б., Спирин М. Г., Товстун С. А., Гапанович М. В., Гак В. Ю., Гадомская А. В., Певцов Д. Н., Кацаба А. В., Кириченко А. С., Демкин Д. В., Иванова В. А., Иванов В. В., Разумов В. Ф.
Новый прекурсор серы для синтеза экологически безопасных коллоидных квантовых точек CuInS2 Шуклов И. А., Серая А. В., Шалагин А. Ю., Лим В. В., Миленкович Т., Вершинина О. В., Яковлев В. О., Попов В. С., Иванов В. В.
Расчет частот смешанных плазмон-фононных мод для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К
Белов А. Г., Молодцова Е. В., Журавлев Е. О., Козлов Р. Ю., Комаровский Н. Ю., Кузнецов А. Н., Ларионов Н. А. Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии Болтарь К. О., Вильдяева М. Н., Иродов Н. А., Климанов Е. А., Ляликов А. В., Малыгин В. А., Молчанов Д. С., Макарова Э. А. Исследование оптических свойств эпитаксиальных пленок CdTe/GaAs(100), выращенных при различных температурных режимах
Грекова А. А., Климов Е. А., Виниченко А. Н., Бурлаков И. Д.
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Оценка влияния плазменных процессов в вакуумном диоде сильноточного электронного ускорителя «Кальмар» на развитие ударно-волновых процессов в мишенях
Казаков Е. Д., Орлов М. Ю., Смирнова А. Р., Стрижаков М. Г., Сунчугашев К. А., Юсупова Л. М., Ткаченко С. И. Визуализация электрического поля в трансформаторном масле с помощью взвешенных микрокапель воды
Панов В. А., Савельев А. С., Куликов Ю. М. Исследование динамики горения дугового разряда в метан-водородосодержащей атмосфере в плазмотроне переменного тока
Дудник Ю. Д., Сафронов А. А., Ширяев В. Н., Васильев М. И., Васильева О. Б.
Сильноточный фотоэмиссионный тлеющий разряд в смеси Xe–Cs
Марциновский А. М., Гавриш С. В., Коренюгин Д. Г., Гуслин А. С., Кузин В. Н.
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ Оптические свойства вольфрамата кальция, допированного различными лантаноидами (Pr, Nd, Eu, Ce, Sm) Кузнецова П. Д., Муханова Е. А., Волик К. К., Панкин И. А., Солдатов А. В.
Исследование акустических свойств Ван-дер Ваальсовых гетероструктур, содержащих монослой WSe2, методом гиперзвуковой микроскопии
Фролов Н. Ю., Клоков А. Ю., Шарков А. И., Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Ченцов С. И., Пугачев М. В., Шуплецов А. В., Кривобок В. С., Кунцевич А. Ю.
Синтез покрытий TiN в парах Cu на сплаве Т15К6 методом гибридной плазменной технологии Семенов А. П., Цыренов Д. Б.-Д., Улаханов Н. С., Семенова И. А.

GENERAL PHYSICS
Experimental evaluation of the quality of laser radiation in the differential scattering method
Denisov D. G.
PHOTOELECTRONICS
Extended spectral response (0.4–2.0 m) uncooled colloidal quantum dot PbS photodetector for large format 640512 with electron blocking layer based on p-NiOx
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Pankov M. A., Khamidullin K. A., Deomidov A. D., Fedorov A. A., Deev G. Yu., Dragunov D. E., Epifanov O. V., Zaripov S. I., Lazarev P. S., Mirofyanchenko E. V., Ilyinov D. V., Petrushina V. A., Burlakov I. D., Polessky A. V., Startsev V. V., Brichkin S. B., Spirin M. G., Tovstun S. A., Gapanovich M. V., Gak V. Yu., Gadomska A. V., Pevtsov D. N., Katsaba A. V., Kirichenko A. S., Demkin D. V., Ivanova V. A., Ivanov V. V. and Razumov V. F. 12 New sulfur precursor for the synthesis of environmentally friendly CuInS2 colloidal quantum dots Shuklov I. A., Seraia A. V., Shalagin A. Yu., Lim V. V., Milenkovich T., Vershinina O. V., Iakovlev V. O., Popov V. S. and Ivanov V. V. 21 The calculation of coupled plasmon-phonon mode frequencies for p-InSb and p-GaSb at T = 295 K Belov A. G., Molodtsova E. V., Zhuravlev E. O., Kozlov R. Yu., Komarovskiy N. Yu., Kusnetsov A. N. and Larionov N. A.
Defects insulator layers formation during diffusion in silicon
Boltar K. O., Vil, dyeva M. N., Irodov N. A., Klimanov E. A., Lyalikov A. V., Malygin V. A., Molchanov D. S. and Makarova E. A.
Study of optical properties of CdTe/GaAs(100) epitaxial films grown at various temperature regimes
Grekova A. A., Klimov E. A., Vinichenko A. N. and Burlakov I. D.
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Evaluation of the influence of plasma processes in the vacuum diode of the high-current electron accelerator “Kalmar” on the development of shock-wave processes in targets
Kazakov E. D., Orlov M. Yu., Smirnova A. R., Strizhakov M. G., Sunchugashev K. A., Yusupova L. M. and Tkachenko S. I.
Method of visualization of electric field lines in liquid based on electrohydrodynamic spraying of droplets Panov V. A., Saveliev A. S. and Kulikov Yu. M.
Study of the dynamics of arc discharge burning in a methane-hydrogen-containing atmosphere in an alternating current plasma torch
Dudnik Yu. D., Safronov A. A., Shiryaev V. N., Vasilyev M. I. and Vasilieva O. B.
High-current photoemission glow discharge in a Xe–Cs mixture Martsinjvsky A. M., Gavrish S. V., Korenjugin D. G., Guslin A. S. and Kusin V. N.
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Optical properties of calcium tungstate doped with various lanthanides (Pr, Nd, Eu, Ce, Sm)
Kuznetsova P. D., Mukhanova E. A., Volik K. K., Pankin I. A. and Soldatov A. V.
Study of acoustic properties of van der Waals heterostructure based on WSe2 monolayer using by hypersonic microscopy method
Frolov N. Yu., Klokov A. Yu., Sharkov A. I., Nikolaev S. N., Chernopitsky M. A., Chentsov S. I., Pugachev M. V., Shupletsov A. V., Krivobok V. S. and Kuntsevich A. Yu. Synthesis of TiN coatings in Cu vapor on T15K6 alloy by hybrid plasma technology
Semenov A. P., Tsyrenov D. B.-D., Ulakhanov N. S. and Semenova I. A.

Другие статьи выпуска

Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии (2025)

Авторы: Климанов Евгений Алексеевич, Болтарь Константин, Вильдяева Мария Николаевна, Малыгин Владислав Анатольевич, Макарова Элина Алексеевна

Рассмотрено влияние диффузии фосфора из жидкого источника (POCl3) и твердого источника (метафосфат алюминия (МФА)) на образование локальных дефектов в слоях SiO2 и на поверхности кремния. Установлено, что вероятной причиной образования дефектов является локальное проплавление слоя окисла жидким фосфорно-силикатным стеклом с образованием твердой фазы, обогащенной кремнием. Глубина дефекта пропорциональна его диаметру и уменьшается с понижением температуры процесса.

Сохранить в закладках

Расчет частот смешанных плазмон-фононных мод для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К (2025)

Авторы: Белов Александр Георгиевич, Молодцова Елена Владимировна, Комаровский Никита Юрьевич

Проведены теоретические расчеты и получены значения концентраций легких и тя-желых дырок, а также эффективной массы легких дырок для различных значений приведенного уровня Ферми для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К. При расчетах учитыва-лась непараболичность зоны легких дырок. Вычислены значения волновых чисел, от-вечающих плазменной частоте, а также частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Построены градуировочные зависимости, связывающие значения концентраций легких и тяжелых дырок со значениями характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Показано, что эти зависимости описываются полиномами второй степени.

Сохранить в закладках

Новый прекурсор серы для синтеза экологически безопасных коллоидных квантовых точек CuInS2 (2025)

Авторы: Шуклов Иван Алексеевич, Серая Александра Валерьевна, Шалагин Александр Юрьевич, Лим Владимир Валерьевич, Миленкович Теодора, Вершинина Олеся Валерьевна, Яковлев Виктор Олегович, Попов Виктор, Иванов Виктор Владимирович

Разработан новый прекурсор серы, полученный при растворении элементарной серы в децене-1 при повышенных температурах и давлениях. Детально исследован синтез экологически безопасных коллоидных квантовых точек CuInS2 для видимого диапазона с использованием данного прекурсора. Проведено сравнение прекурсоров индия, различ-ных температурных и концентрационных режимов синтеза. Для полученных образцов наночастиц проведена характеризация их состава и спектральных характеристик. Продемонстрирована возможность использования этого прекурсора серы для получения наночастиц AgInS2. На основе полученных материалов получены тонкие пленки и продемонстрирована принципиальная возможность создания фоточувствительных структур.

Сохранить в закладках

Экспериментальная оценка качества лазерного излучения в методе дифференциального рассеяния (2025)

Авторы: Денисов Дмитрий Геннадьевич

Исследовано и экспериментально проанализировано влияние линзовой и зеркальной оптических схем канала подсвета макетного образца оптико-электронной системы для измерения параметров шероховатости ангстремного уровня оптических поверхностей на качество лазерного излучения. На основе разработанного макетного образца с применением линзовой и зеркальной оптических систем дана количественная оценка таким показателям качества лазерного излучения как M2-параметру и функции контраста спекл-структуры в сечении его энергетического профиля. В результате представленного сравнительного анализа влияния двух оптических систем канала подсвета макетного образца на достижимые показатели качества лазерного излучения, сделаны рекомендации о целесообразности применения линзовой оптической си-стемы в канале подсвета с точки зрения минимальной погрешности проводимых измерений.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.