Фотомемристивные переключения в кристаллах селенида висмута (2025)
Обнаружен эффект оптических переключений резистивных состояний в структурах на основе халькогенидных соединений Bi2Se3 с медным и графеновым электродами. Предложена физическая модель, описывающая протекающие при переключениях процессы. Полученные результаты указывают на возможность применения исследованных фотомемристорных структур для нейроморфных вычислений в качестве искусственных синапсов, весовые коэффициенты которых можно устанавливать как электрически, так и оптически.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2025)