SCI Библиотека

Рассматривается политика Ю. В. Андропова и его личная позиция в ключевых вопросах отношений СССР с США и КНР в годы руководства Советским Союзом. На этой основе оценены влияние и последствия действий Ю. В. Андропова на внешнеполитическое развитие СССР. Автор руководствовался принципами историзма, научной объективности и опоры на источники. Доказано, что Ю. В. Андропов формировал внешнюю политику страны с позиции «ястребов» в советском руководстве, представленных Д. Ф. Устиновым. Согласно этой позиции, внешняя политика абсолютно подчинена интересам национальной безопасности, предполагающей превосходство ядерных и обычных сил над силами потенциальных противников, а военная сила должна выходить на первый план при принятии внешнеполитических решений. Поэтому как по проблеме ракет средней дальности (РСД) в Европе, так и по вопросу о размещении вооруженных сил на советско-китайской и китайско-монгольской границах Ю. В. Андропов, игнорируя объективные изменения обстановки, неизменно придерживался жесткой позиции. Автор приводит свидетельства того, как советский руководитель неоднократно отвергал разумные предложения дипломатов и не желал идти на какие-либо уступки, которые противоречили идеям военного превосходства. В первую очередь это касалось вопроса размещения РСД на территории Восточной Европы, который обсуждался на переговорах в Женеве. В итоге Советскому Союзу не удалось избежать вовлечения в новый виток гонки вооружений, спровоцированный президентом США Р. Рейганом, вследствие чего американские РСД были размещены в Западной Европе. На Востоке Ю. В. Андропов упустил возможность улучшить отношения с Китаем, который начал переориентироваться от конфронтации с СССР на выстраивание баланса в отношениях с США и Советским Союзом, и продолжил бессмысленную конфронтацию с ним. Внешнеполитическое наследие Ю. В. Андропова - изолированная, напряженная внешняя обстановка, не подразумевающая свободы действий. Кроме того, увеличение военных расходов, вызванное его жесткой внешнеполитической линией, усугубило «застой» и кризис социально-экономического развития СССР.

Рассматривается один из способов реализации креативного потенциала языковой личности – пародийный текст. На материале литературных пародий Л. Филатова на Р. Рождественского, Е. Евтушенко и Ю. Левитанского выявляются виды пародийных текстов и языковые средства их создания. Анализ показал, что Л. Филатов использует два вида пародийных текстов: «классический» стихотворный, представляющий собой самостоятельное произведение, и эпитекст – прозаическую пародию в виде предтекстового комментария к основной пародии в стихах. Пародии Л. Филатова отражают тонкий анализ языка и стиля произведений пародируемых поэтов, а также ироническую оценку их черт характера.

В работе представлены исследования влияния технологических параметров изготовления на электромеханические свойства пьезоэлектрических элементов, представляющих собой пленку композита «оксид цинка/полистиролсульфонат натрия/поливиниловой спирт». Описывается методика прогнозирования свойств пьезоэлементов с помощью математического аппарата искусственных нейронных сетей (ИНС). Показана применимость методов ИНС для совершенствования методики изготовления композита, позволяющая добиться увеличения участка линейной зависимости генерируемого заряда от прикладываемой нагрузки и устойчивости к многократным деформациям.

Методами рентгеновской дифракции и магнитно-силовой микроскопии исследовались пленки системы Bi25FeO39-BFO на R-срезах сапфира. В нанокристаллах BFO наблюдался эффект обратного магнитоэлектрического переключения при приложении напряжения величиной ±10 В вдоль поверхности пленки. Величина магнитного момента нанокристаллов BFO, определенная в модели двух малых магнитов, была порядка 10-8–10-9 emu.

Разработана методика контроля спектров фотолюминесценции для многослойных гетероэпитаксиальных структур с квантовыми ямами на основе AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведен расчет уровней размерного квантования в квантовых ямах. Построены тепловые карты распределения значений длины волны и интенсивности в максимуме спектра фотолюминесценции по поверхности эпитаксиальных слоев различного состава. Картографирование позволило оценить однородность распределения состава и толщины эпитаксиальных слоев по поверхности образцов. Проведенное исследование является перспективным для усовершенствования методик входного и межоперационного контроля многослойных гетероэпитаксиальных структур, используемых в технологии изготовления матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона.

В статье представлены результаты исследования влияния глубины химического травления на ВАХ элементов в матрицах ФЧЭ коротковолнового ИК-диапазона формата 320256 с шагом 30 мкм, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных структур с поглощающим слоем InGaAs. Матрицы ФЧЭ изготовлены по мезапланарной технологии на nB(Al0,48In0,52As)pcтруктурах на подложках InP. На основе проведенных исследований оптимизирован процесс травления мезы на промежуточной операции маршрута изготовления МФЧЭ, что позволяет определить глубину травления, требуемую для получения низких темновых токов и оптимальной ампер-ваттной чувствительности. Изготовлены высокоэффективные матрицы фотодиодов форматов 320256 с шагом 30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм с дефектностью, не превышающей 0,5 %.

Экспериментально получена граница (линия) перехода от сплошных пылевых структур к полым пылевым структурам в координатах «давление – ток разряда» в тлеющем разряде в неоне. Эксперименты выполнены для сферических частиц диаметром 2,55 и 4,14 мкм. Проведено моделирование линии перехода с помощью диффузионно-дрейфовой модели положительного столба разряда в неоне с учетом радиального градиента температуры. В результате моделирования экспериментальных данных обнаружено, что сила термофореза, действующая на микрочастицы в пылевой структуре, связана с параметрами разряда, зависит от размера микрочастиц и пылевой структуры. Результаты работы могут быть использованы в технологиях с пылевой плазмой.

Для разрядной системы с протяженным полым катодом, используемой в форвакуумном плазменном источнике ленточного электронного пучка, исследовано влияния геометрии катодной полости и рода плазмообразующего газа на однородность распределение концентрации плазмы в области эмиссионной границы. Показано, что наибольшее влияние на однородность распределения концентрации эмиссионной плазмы оказывает геометрические параметры разрядного промежутка электронного источника. При оптимальной геометрии разрядной системы определен диапазон токов разряда, давления и рода газа, обеспечивающие неоднородность распределения концентрации плазмы не более 20 % от среднего значения.

Проведено теоретическое и экспериментальное исследование устойчивости электродугового разряда между стержневыми графитовыми электродами в открытой воздушной атмосфере. Теоретический анализ основан на оценках возможности развития ключевых неустойчивостей разряда в атмосферных дугах: перегревной, конвективной и винтовой. Отмечено, что на падающих участках вольт-амперной характеристики возможно развитие многоканальных токовых структур. В экспериментах изучено влияние аксиального и азимутального внешнего магнитного поля на особенности устойчивости и структуры протяженного разряда. Получены сравнительные данные о возможностях стабилизации протяженного дугового разряда как во внешнем азимутальном магнитном поле, так и в аксиальном магнитном поле.

Проведены численные расчеты течения плазмы аргона в канале высокочастотного индукционного (ВЧИ) плазмотрона. Численное моделирование выполнено в пакете прикладных программ ANSYS CFX (14.5) для одного из конкретных конструктивных вариантов технологического ВЧИ-плазмотрона с трехвитковым индуктором при амплитуде тока разряда из диапазона JK = 80–250 A (с частотой 3 МГц). Показано, что, в зависимости от величин амплитуды тока разряда JK и расхода транспортирующего газа Q1 через осевой канал, могут иметь место три режима течения плазмы в канале ВЧИ-плазмотрона, а именно: потенциальный (безвихревой) режим и два вихревых режима с двумя различными формами вихревого образования, возникающего перед зоной энерговыделения с центром приблизительно в сечении первого витка индуктора. В координатах JK-Q1 построена диаграмма, определяющая области различных режимов течения плазмы. Рассчитаны основные параметры вихревых образований.