В работе обсуждается современное состояние технологии получения, а также особенности мирового рынка арсенида галлия, дан анализ тенденций его развития. Рассмотрены особенности различных технологий выращивания кристаллов арсенида галлия; проведен анализ характеристик получаемых материалов, приборов на их основе, а также основных производителей
Полупроводниками в широком смысле слова называют вещества, занимающие по степени удельного сопротивления промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Некоторые из них по своим свойствам ближе к металлам, другие – к неметаллам. Однако вопрос, сколько именно элементов Периодической системы обладают полупроводниковыми свойствами, порой вызывает разногласия. Обычно говорят 12, но могут ответить, что 13 и даже 14, имея в виду также элементы, входящие в состав сложных полупроводников.
О сложных полупроводниках, их производстве и применении и пойдет речь в данной статье.
В статье показаны результаты краткого анализа рынка GaAs-пластин, представлен обзор основных продуктов оптоэлектроники, перечислены мировые производители-лидеры
изделий (слитков, пластин и эпитаксиальных слоев) GaAs и рассмотрена ситуация российской базы производства GaAs-материалов. Двойное полупроводниковое соединение арсенид галлия (GaAs) – традиционный материал СВЧ‑электроники. До недавних пор одним из наиболее быстрорастущих сегментов рынка применений этого материала были высокочастотные интегральные схемы (ИС) на GaAs для мобильной телефонии. Однако
парадигма развития рынка GaAs меняется.
Новым двигателем развития мирового рынка арсенида галлия становится фотоника.
В экспериментах, проведенных Чохральским, были получены монокристаллы металлов размером около одного миллиметра в диаметре и до 150 см длиной. Исследователь
изложил суть своего открытия в статье “Новый метод изменения степени кристаллизации металлов”, опубликованной в немецком журнале Zeitschrift für Physikalische Chemie в 1918 году.
The book covers important
details of structural properties, bandstructure, transport, optical and magnetic properties
of semiconductor structures. Effects of low-dimensional physics and strain – two important
driving forces in modern device technology – are also discussed. In addition to conven-
tional semiconductor physics the book discusses self-assembled structures, mesoscopic
structures and the developing field of spintronics
Аннотация
Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» предназначена для ионно-
плазменной обработки наружных поверхностей и внутренних ка-
налов корпусов из ситалла, применяемых в производстве ЭВП.
Установка «КРАУДИОН-ИПО-11/2» обеспечивает проведение
следующих технологических операций:
