На основе установленных технологических параметров синтеза TiN в азот содержащей плазме испарением Ti вакуумно-дуговым разрядом, предложено нанесение покрытий TiN-Cu путем инжекции паров Cu в область синтеза TiN, распыляя Cu магнетронным разрядом. Согласно рентгенофазовому анализу, рефлексы отражений меди не наблюдаются, хотя рентгеноспектральный микроанализ структуры покрытий подтверждает наличие меди в исследуемых покрытиях по всему профилю покрытий. Проведены стойкостные испытания покрытий TiN-Cu на шестигранных сменных пластинах из твердого сплава Т15К6 при резании стали 40Х. Показано, в предложенном режиме нанесения покрытий TiN-Cu, состав TiN–5,57 ат.% Cu увеличивает стойкость пластин Т15К6 в 2,5 раза по сравнению с инструментом без покрытия. Замеренные составляющие сил при срезании на пластинах с покрытием TiN–Cu свидетельствуют об отсутствии вибраций (шумов) режущего инструмента, что косвенно объяснено влиянием трибологических свойств покрытия на стойкость инструмента снижением силы трения и увеличением теплоотвода из зоны контакта режущей кромки инструмента с обрабатываемым материалом, способствуя уменьшению температуры в зоне резания.
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем(ИМС) во всех радиотехнических схемах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Отсюда особо важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов.
Качество и надежность элементной базыинтегральных микросхем во многом определяются технологией их изготовления. При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальные трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований. Вследствие сложности и многостадийности технология ИМС выделилась в самостоятельную научную дисциплину. Она предполагает совокупность технологических процессов изготовления, контрольно-измерительных операций, а также физических, химических и механических испытаний, осуществляемых с исходными материалами и полуфабрикатами или отдельными электронными элементами для получения ИМС, как законченных изделий, обладающих заданными параметрами.
На современном этапе развития микроэлектроники используются два основных вида интегральных микросхем:
пленочные интегральные микросхемы;
полупроводниковые интегральные микросхемы.
Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путемпослойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений.
Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового кристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.