Научный архив: статьи

Разработана схема и создан действующий макет автоматической высокоточной системы угловой коррекции оси лазерного пучка, фокусируемого на поверхность объекта, который движется по непредсказуемой траектории. Управление угловым положением оси лазерного пучка осуществлялось FSM зеркалом по командам двухкоординатного позиционно-чуcтвительного PSD детектора. PSD преобразовывал линейные координаты центра тяжести изображения цели на поверхности фотоприемной площадки в управляющее напряжение, подаваемое на вход контроллера, осуществляющего автоматическую коррекцию гистерезиса управления осью лазерного пучка. Проведены эксперименты по моделированию управления угловым положением оси лазерного луча. Экспериментально определены статические и динамические характеристики системы управления. Измеренные значения времени отклика на сигналы управления и гистерезиса системы управления не превышали 0,7–1,0 мс и 0,2 %, соответственно.

Проведено рафинирование металлургического кремния в электронно-пучковой плазме паров воды. Основой метода является перевод трудно испаряемых в вакууме примесей в их легколетучие соединения в химически активной окислительной электронно-пучковой плазме. При электронно-пучковом рафинировании кремния в плазме паров воды при температуре образца 1430 С произошло удаление основных металлических примесей.

Исследован процесс коммутации вакуумного искрового разрядника при воздействии импульса лазерного излучения наносекундной длительности на мишень, размещаемую на катоде или за пределами короткого межэлектродного промежутка. Регистрировалось время срабатывания разрядника при различных значениях приложенного напряжения и давления остаточного газа. На основе полученных экспериментальных данных выдвинуто предположение о том, что первоначально проводящая среда возникает в результате ионизации остаточного газа УФ-излучением лазерной плазмы и эмитируемыми из нее быстрыми электронами.

Ранее были выполнены измерения температуры газа на оси разряда с жидкими не металлическими электродами (РЖНМЭ) с помощью теневого фонового метода (ТФМ). Исследовался разряд в конфигурации жидкий катод и металлический анод. Из-за особенностей оптической схемы не удалось получить хорошее пространственное разрешение, так как исследуемый объект находится не в фокусе фоторегистрирующего устройства. В результате радиальный ход температуры искажен аппаратной функцией объектива. Для восстановления исходного распределения необходимо решить обратную задачу. В данной работе предложен метод восстановления радиального хода температуры. Вначале на основе модельного эксперимента выполнено сравнение двух методов решения обратной задачи свертки. По результатам сравнения выбран метод дающий лучший результат. Выбранный метод использован для обработки экспериментальных данных с целью восстановления радиального хода температуры

Дан обзор новых наиболее интересных результатов, представленных на LII Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, состоявшейся с 17 по 21 марта 2025 года в г. Звенигород Московской области. Проведен анализ достижений в основных направлениях развития исследований в области физики плазмы в России и их сравнение с работами за рубежом.

Показан достаточно высокий уровень стойкости к -нейтронному излучению активных элементов оптоэлектронных пар: светоизлучающих структур с массивом Ge(Si) наноостровков и фотодиодов с эпитаксиальными слоями Ge/Si. Теоретические оценки доли наноостровков Ge(Si), теряющих свойства люминесценции при генерации радиационных дефектов, в первом приближении совпадают с экспериментальными данными по снижению интенсивности фото- и электролюминесценции облученных структур. Выполнение условия совместимости параметров светоизлучающих и фотоприемных структур оптоэлектронных пар обеспечивает регистрацию оптопарного эффекта при высоких уровнях воздействий.

Проведен анализ возможных факторов искажения изображения фотошаблона в слое фоторезиста в процессах контактной фотолитографии при изготовлении матричных ИК фотоприёмников, что приводит к неодинаковости геометрических размеров элементов фотоприемных матриц и как следствие, неоднородности по пикселям чувствительности матричных ИК-фотоприёмников. Исследованы особенности формирования фоточувствительных элементов матриц форматов 384 288 с шагом 25 мкм, 320256 с шагом 30 мкм и 640 512 с шагом 15 мкм на основе гетероэпитаксиальных слоев GaAs/AlGaAs и xBn-InGaAs, выращенных на подложках из арсенида галлия и фосфида индия соответственно. Исследовано влияние на неоднородность чувствительности неплоскостности поверхности гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых пластин и дефектов на поверхности пластин.

В обзоре представлен анализ микро- и нанотвердости кристаллов и эпитаксиальных структур на основе тройных растворов полупроводникового материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ, HgCdTe) и их влияние на надежность фотоприемных устройств (ФПУ), проведена оценка коэффициента твердости КРТ от состава и температуры. Механические свойства кристаллов и эпитаксиальных структур КРТ рассматриваются при точечном воздействии методами сжатия, изгиба и пластической деформации. Представлены модельные зависимости энергии активации: от нагрузочного напряжения и от температуры для двух составов КРТ (Hg0,8 Cd0,2 Te и Hg0,34Cd 0,66 Te). Теоретические и экспериментальные исследования позволили установить следующие значения энергии активации пластической деформации для материала КРТ: 1,1 эВ для Hg 0,8 Cd0,2 Te и 1,6 эВ для Hg 0,34 Cd0,66 Te

Исследовано изменение спектрально-люминесцентных свойств ряда замещенных фенолов под действием излучения эксиламп. Получены кинетические закономерности фотоиндуцированной деградации в воде замещенных фенола: 2,6-ди(гидроксиметил)-4- метилфенола и 4-цианофенола. Рассчитаны квантовые выходы фотопревращения исследуемых соединений. Показано, что для 2,6-ди(гидроксиметил)-4-метилфенола наибольшая фотодеградация наблюдается при использовании XeBr эксилампы. При прямом фотолизе не получено заметной деградации 4-цианофенола

Рассмотрен синтез покрытий TiN на сплаве Т15К6 в парах Cu на основе газоразрядных процессов вакуумно-дугового испарения Ti в азотсодержащей плазме и магнетронного ионно-плазменного распыления Cu. Определены технологические параметры синтеза композитных покрытий TiN-Cu: ток дугового разряда 90 А, ток и напряжение горения магнетронного разряда, соответственно, 0,5 А и 400 В, давление смеси газов в вакуум-ной камере 2,4 Па, температура ростовой поверхности 473 К, время синтеза  15 мин, время очистки ростовой поверхности подложки 10 мин, напряжение смещения 160 В. Рентгеноспектральный микроанализ структуры подтверждает содержание меди  5,57 ат.% в исследуемых покрытиях по всему профилю покрытий. Микотвердость покрытий составляет 38–42 ГПa.

Для исследования упругих свойств слоистой гетероструктуры Al/hBN/WSe2(монослой)/hBN/Al2O3 использовалась пикосекундная ультразвуковая методика. В процессе эксперимента измерялись временные зависимости изменения фазы коэффициента отражения образца, вызванные распространением упругого импульса, который возбуждался фемтосекундным лазером. Построение карты пространственного распределения модуля спектральных компонент Фурье-спектра отклика для различных частот позволило локализовать область гетероструктуры, содержащей в себе монослой WSe2. Используя математическую модель отклика многослойной структуры, были оценены упругие параметры гетероструктуры Al/hBN/WSe2(монослой)/hBN/Al2O3, в частности жесткости интерфейсов слоев.

Исследовано влияние легирования редкоземельными элементами, в частности трёх-зарядными лантаноидами Ln3+ (Ln = Pr, Nd, Eu, Ce, Sm), на люминесцентные свойства вольфрамата кальция со структурой шеелита, полученного микрофлюидным методом. Согласно данным рентген-индуцированной оптической люминесценции (XEOL) можно утверждать, что легирование европием приводит к наиболее интенсивной люминесценции шеелита. Проведен количественный элементный анализ состава получаемых микрофлюидным способом образцов шеелита методом рентгеновского флуоресцентного анализа и также качественный анализ спектров рентгеновского поглощения (XANES) вблизи L3-края поглощения W для Eu-замещенного вольфрамата, как образца, обеспечивающего наибольший выход флуоресценции