Статьи

Рассмотрены полупроводниковые фотокатализаторы, используемые для получения водорода из воды под действием света ближнего УФ- и видимого диапазона. Исследованы фотокатализаторы, созданные на основе системы CdS-GaAs разного состава, их способность к расщеплению воды под действием облучения видимого диапазона.

Введено понятие профильной фотоэлектроники. На примере фоторезистора изложены основные принципы этого нового, многообещающего направления фотоэлектроники. Оно базируется на специальном профилировании формы потока падающего излучения относительно направления электрического поля. Теоретически показана возможность новых, аномальных фотоэлектрических эффектов в полу-проводниках. Они названы самоусилением падающего излучения, самогашением его и самоинверсией знака скорости фотогенерации (возникновение отрицательной фотопроводимости). Приведены конкретные примеры для всех трех типов профилей. Результаты анализа фундаментально изменяют современные представления о возможных фотоэлектрических эффектах в полупроводниках. Эти результаты открывают возможность создания нового поколения фотодетекторов слабого оптического и коротковолнового излучений.

Изучено влияние проникающих излучений на электрический низкочастотный шум полупроводников. Получены формулы для определения количества дефектов структуры в полупроводниках, возникающих вследствие воздействия проникающего излучения. Получено выражение общего вида для спектра электрического низкочастотного шума в полупроводниках при воздействии на них проникающего излучения. Установлена количественная связь спектра электрического низкочастотного шума с развитием нарушений структуры полупроводников, вызванных проникающими излучениями. Полученные результаты могут быть использованы для определения спектров электрического шума в полупроводниках различных типов и в многочисленных полупроводниковых приборах. Вычисленные выражения позволяют провести оценки интенсивности электрического низкочастотного шума, из которых могут быть сделаны выводы о возможности функционирования и надежности полупроводниковых приборов. Установленная связь электрического шума с радиационными дефектами может быть использована для оценки по спектральным характеристикам шума дефектности структуры полупроводников, подвергавшихся радиационным повреждениям.

В статье анализируются специфика и динамика развития американо-тайваньских отношений в периоде с 1949 г. по настоящее время. Исследование проблемы осуществляется в четырех основных плоскостях: глобальный контекст, треугольник США-КНР-Тайвань, двусторонние отношения, внутренняя политика. Целью данной статьи является выделение ключевых этапов и особенностей развития американо-тайваньских отношений в период с 1949 г. по настоящее время. С этой целью автор акцентирует внимание на политико-дипломатическом взаимодействии США и Республики Китай, правовых и институциональных механизмах сотрудничества. Автор рассматривает отношения Тайваня и США не изолированно, а с учетом влияния фактора материкового Китая. В работе анализируются взгляды и позиции тайваньского руководства по вопросу не только американо-тайваньских отношений, но и проблемы «двух берегов». Содержание исследования также включает рассмотрение вопросов поставок вооружения на остров, научно-технического сотрудничества в полупроводниковой отрасли и интеграции Тайваня в америкоцентричные региональные форматы. Особый акцент сделан на то, чтобы продемонстрировать те изменения, которые произошли в политике США, КНР и Тайваня с 2016 г. В заключение автор выделяет четыре этапа развития американо-тайваньских отношений с учетом факторов на уровне системы и на уровне отдельных акторов, а также характеристики, присущие каждому из выделенных этапов. Здесь же подчеркивается мысль о том, что нынешнее состояние отношений США и Тайваня является результатом синергии множества факторов различного характера.

Описан научный и жизненный путь видного русского и советского учёного-физика
Л.Н. Курбатова, по праву считающегося основателем отечественной школы полупроводниковой фотоэлектроники.

Полупроводниками в широком смысле слова называют вещества, занимающие по степени удельного сопротивления промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Некоторые из них по своим свойствам ближе к металлам, другие – к неметаллам. Однако вопрос, сколько именно элементов Периодической системы обладают полупроводниковыми свойствами, порой вызывает разногласия. Обычно говорят 12, но могут ответить, что 13 и даже 14, имея в виду также элементы, входящие в состав сложных полупроводников.

О сложных полупроводниках, их производстве и применении и пойдет речь в данной статье.